MoS₂作為一種典型的2D半導體材料,由于其優(yōu)異的電學特性,被寄予了替代傳統(tǒng)硅材料在納電子器件中發(fā)揮重要作用的希望。然而MoS₂作為溝道材料與柵介質(zhì)之間存在較大的界面態(tài)密度以及用微機械剝離法得到的薄膜尺寸和厚度無法控制等缺點,使得制備得到的MoS₂場效應晶體管的電學性能遠未達到其理論值,導致其在工業(yè)化應用中還存在較大差距。因此本文圍繞改進MoS₂晶體管電學性能和薄膜質(zhì)量從實驗和理論兩方面開展了研究工作。實驗方面:（1）設計制備了兩種柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)（MoS₂/HfO₂和MoS₂/Al₂O₃/HfO₂）的背柵MoS₂晶體管,并且選取兩組柵介質(zhì)在轉(zhuǎn)移MoS₂之前進行NH₃等離子體處理。比較發(fā)現(xiàn),經(jīng)過NH₃等離子體處理的Al₂O₃/HfO_2<... 

【文章來源】：華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

世界上第一支點接觸鍺晶體管

商用微處理器發(fā)展歷程

(a)FinFET結(jié)構(gòu)示意圖；(b)SOI結(jié)構(gòu)示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]高質(zhì)量單層MoS2的可控合成及其在微納電子方面的應用（英文）[J]. 楊小年,李強,胡國鋒,王澤高,楊振宇,劉興強,董明東,潘曹峰.  Science China Materials. 2016(03)



本文編號：3557419