介紹了一種新型鍍銅銀納米線導(dǎo)電薄膜制備技術(shù):以磁控濺射法在涂布了OC（保護(hù)膠）的銀納米線（AgNWs）薄膜表面覆蓋納米銅層來替代銀漿,再通過黃光制程中的蝕刻工藝將銅層進(jìn)行圖案化蝕刻。研究了蝕刻液中過硫酸鈉和磷酸用量對銅層蝕刻效果的影響,得到較佳的銅蝕刻液為:磷酸117.7 g/L,過硫酸鈉35.3 g/L。采用該蝕刻液能夠?qū)㈠冦~銀納米線薄膜上的Cu層完全蝕刻掉,并且不損壞OC層和AgNWs層,蝕刻時間易控,效果好。 

【文章來源】：電鍍與涂飾. 2020,39(19)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

鍍銅銀納米線導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖

由圖2a可知，銀納米線被規(guī)則的球形OC顆粒層包覆，顆粒尺寸約為40 nm。OC層不能完全包覆銀納米線，否則會導(dǎo)致測不出方塊電阻。因此涂布OC層時需要將部分銀線裸露出來。從圖2b可知，Cu層由均勻的球形銅顆粒組成，顆粒尺寸約為30 nm。2.2 過硫酸鈉用量對鍍銅銀納米線導(dǎo)電薄膜蝕刻效果的影響

從圖3可以看出，當(dāng)過硫酸鈉用量為1 g，蝕刻25 s時，Cu層未蝕刻完全，上層為未蝕刻完的銅，下層為球形OC保護(hù)層。圖4是鍍銅銀納米線薄膜被完全蝕刻后的SEM照片，可見Cu層被完全蝕刻，下層OC層完整，AgNWs也沒有遭到破壞，表明該蝕刻液具有很好的蝕刻選擇性，只對Cu層起蝕刻作用，不會蝕刻OC層和AgNWs層。圖4 Cu層被蝕刻完全后鍍銅銀納米線薄膜的SEM照片(過硫酸鈉3 g，時間33 s)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]柔性納米銀線導(dǎo)電薄膜的制備及其性能研究[J]. 丁曉,黃英.  粘接. 2014(09)



本文編號：3490376