綜述了作者近20年在納米半導(dǎo)體場電子發(fā)射及其作為冷陰極應(yīng)用的理論模型、優(yōu)化結(jié)構(gòu)與相應(yīng)實驗研究方面取得的系列進展與突破.理論上提出了寬帶半導(dǎo)體能帶彎曲場發(fā)射模型和量子結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射的思想,并在其納米半導(dǎo)體場發(fā)射特性實驗研究中得到證實.實驗上研制出了具有優(yōu)異場發(fā)射性能的幾種納米半導(dǎo)體場發(fā)射冷陰極,為該真空納米電子器件的實際應(yīng)用奠定了基礎(chǔ).最后,對該領(lǐng)域研究的瓶頸問題及未來發(fā)展趨勢進行了述評. 

【文章來源】：北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報. 2020,46(10)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：10 頁

【部分圖文】：

外加場強為500 V/μm時c-BN/真空

Al/GaN、G-GaN以及H-GaN的

3種n-GaN/Ga0.5Al0.5N-GaN/vacuum場


本文編號：3443178