隨著微電子技術的日益發(fā)展,器件的尺寸越來越接近其物理極限,使得短溝道效應也不可忽略。FinFET作為一種多柵器件,可以很好地抑制短溝道效應,同時又能與現(xiàn)有的工藝兼容;鍺的電子、空穴遷移率大約分別是硅的2.5倍和4.4倍,又因鍺與硅同在第IV主族,用它作為溝道材料,既可以提高驅動電流增加集成度,又可以沿用現(xiàn)有的硅工藝。本文從理論層面深入研究了聲子散射與溝道-柵介質界面散射對Ge nFinFET器件電學特性的影響。基于有效質量近似理論,本論文研究了不同晶面-溝道取向下聲子散射對器件遷移率的影響。聯(lián)立求解薛定諤-泊松方程,得到溝道內(nèi)二維電子氣的能級與波函數(shù),再利用費米黃金法則求得聲子散射的幾率,最終得到相應的遷移率。作者發(fā)現(xiàn)在聲子散射中,谷內(nèi)聲學聲子散射是限制遷移率的主要因素;遷移率在（001）晶面的[110]、[1^—10]、[1^—1^—0]和[11^—0]晶向,（110）晶面的[11^—2]、[11^—2^—]、[1^—12

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

近40年來微處理器的發(fā)展趨勢

從頂部表面進入底部柵極進行器件布線并不簡單，而且可能對器件密度產(chǎn)生負面影響。圖1.4 三種類型的雙柵結構[11]第二種是垂直結構。載流子的輸運方向垂直于硅晶圓，并且這是 x，y，z 三個方向上最長的一條路徑。這種結構對于 DRAM 的應用來說是最好的，因為低的泄漏電流（溝道很長）很重要，性能是居于第二位的。第三種也是垂直結構。雖然這個結構在最小尺寸上的實現(xiàn)存在強大的技術困難xyzzxyzyx(a) (b) (c)type Itype II type III

k k k沿器件寬度方向。圖2.1 (a)器件坐標系 (b)晶格坐標系 (c)橢球坐標系[32]第二個是晶格坐標系統(tǒng)（crystal coordinate system, CCS）,它的三個單位向量1 k ，2 k ，3 k 分別沿著溝道材料晶體的<100>晶向。第三個是橢球坐標系統(tǒng)（ellipsoidcoordinatesystem,ECS）,它的三個單位向量1 k ，2 k ， k 分別沿著橢球等能谷的三個主軸方向。在 ECS 中，一個橢球型等能面可以表示為 2 2 22 21 22 2l tk kkEm m (2-1)其中，k 空間的原點在導帶底，作為電子能量的參考值，ml表示縱向有效質量

【參考文獻】：
期刊論文
[1]先進集成電路技術發(fā)展現(xiàn)狀分析[J]. 張衛(wèi).  集成電路應用. 2017(09)
[2]CMOS集成電路功耗分析及其優(yōu)化方法[J]. 王昌林,張勇,李東生.  艦船電子工程. 2006(03)
[3]機載PD雷達模擬器目標檢測仿真研究[J]. 歐陽文,何友,夏明革.  計算機仿真. 2004(08)

博士論文
[1]新型SOI MOSFET器件結構研究與電特性分析[D]. 辛艷輝.西安電子科技大學 2014



本文編號：3412059