隨著微電子技術(shù)的日益發(fā)展,器件的尺寸越來(lái)越接近其物理極限,使得短溝道效應(yīng)也不可忽略。FinFET作為一種多柵器件,可以很好地抑制短溝道效應(yīng),同時(shí)又能與現(xiàn)有的工藝兼容;鍺的電子、空穴遷移率大約分別是硅的2.5倍和4.4倍,又因鍺與硅同在第IV主族,用它作為溝道材料,既可以提高驅(qū)動(dòng)電流增加集成度,又可以沿用現(xiàn)有的硅工藝。本文從理論層面深入研究了聲子散射與溝道-柵介質(zhì)界面散射對(duì)Ge nFinFET器件電學(xué)特性的影響�；谟行з|(zhì)量近似理論,本論文研究了不同晶面-溝道取向下聲子散射對(duì)器件遷移率的影響。聯(lián)立求解薛定諤-泊松方程,得到溝道內(nèi)二維電子氣的能級(jí)與波函數(shù),再利用費(fèi)米黃金法則求得聲子散射的幾率,最終得到相應(yīng)的遷移率。作者發(fā)現(xiàn)在聲子散射中,谷內(nèi)聲學(xué)聲子散射是限制遷移率的主要因素;遷移率在（001）晶面的[110]、[1^—10]、[1^—1^—0]和[11^—0]晶向,（110）晶面的[11^—2]、[11^—2^—]、[1^—12

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

近40年來(lái)微處理器的發(fā)展趨勢(shì)

從頂部表面進(jìn)入底部柵極進(jìn)行器件布線并不簡(jiǎn)單，而且可能對(duì)器件密度產(chǎn)生負(fù)面影響。圖1.4 三種類型的雙柵結(jié)構(gòu)[11]第二種是垂直結(jié)構(gòu)。載流子的輸運(yùn)方向垂直于硅晶圓，并且這是 x，y，z 三個(gè)方向上最長(zhǎng)的一條路徑。這種結(jié)構(gòu)對(duì)于 DRAM 的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是最好的，因?yàn)榈偷男孤╇娏鳎系篮荛L(zhǎng)）很重要，性能是居于第二位的。第三種也是垂直結(jié)構(gòu)。雖然這個(gè)結(jié)構(gòu)在最小尺寸上的實(shí)現(xiàn)存在強(qiáng)大的技術(shù)困難xyzzxyzyx(a) (b) (c)type Itype II type III

k k k沿器件寬度方向。圖2.1 (a)器件坐標(biāo)系 (b)晶格坐標(biāo)系 (c)橢球坐標(biāo)系[32]第二個(gè)是晶格坐標(biāo)系統(tǒng)（crystal coordinate system, CCS）,它的三個(gè)單位向量1 k ，2 k ，3 k 分別沿著溝道材料晶體的<100>晶向。第三個(gè)是橢球坐標(biāo)系統(tǒng)（ellipsoidcoordinatesystem,ECS）,它的三個(gè)單位向量1 k ，2 k ， k 分別沿著橢球等能谷的三個(gè)主軸方向。在 ECS 中，一個(gè)橢球型等能面可以表示為 2 2 22 21 22 2l tk kkEm m (2-1)其中，k 空間的原點(diǎn)在導(dǎo)帶底，作為電子能量的參考值，ml表示縱向有效質(zhì)量

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]新型SOI MOSFET器件結(jié)構(gòu)研究與電特性分析[D]. 辛艷輝.西安電子科技大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3412059