近年來,作為第四類無源電路基礎(chǔ)器件的憶阻器贏得了社會各界的廣泛關(guān)注。憶阻器因其擁有著獨特非線性特性、低功耗、結(jié)構(gòu)簡明易集成以及電阻記憶特性,在各領(lǐng)域研究人員眼中已經(jīng)成為未來智能計算機的理想原件,它具備的信息處理與存儲同步化的特點也將是人類突破馮·諾依曼瓶頸的關(guān)鍵。目前已有大量的氧化物（TiO₂、WO_x和HfO₂等）被用于構(gòu)造憶阻器件,并進(jìn)行神經(jīng)突觸模擬以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建。氧化釩作為一種過渡金屬氧化物,一直受到廣泛關(guān)注。其中,M相二氧化釩（VO₂）的電致相變使其在智能窗、光電開關(guān)和光存儲方面具有很大的應(yīng)用潛力,但其相變機理一直存在很大的爭議。同時,非晶氧化釩（VO_x）作為變價金屬氧化物,其電學(xué)特性對外場具有顯著的依賴性,這意味著VO_x可能是優(yōu)良的憶阻材料。本論文通過調(diào)節(jié)VO₂與環(huán)境之間的熱交換,深入研究了電驅(qū)動晶化VO₂相變中焦耳熱的重要地位;并控制濺射過程中的氧通量,制備了雙層VO_x憶阻器件,... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

四種基本無源元件關(guān)系圖

圖 1-2 憶阻器結(jié)構(gòu)示意圖阻器概念的提出至今，通過實驗表明很多材料都具有優(yōu)良的阻變特aZnO[15]、HfO2[16]等。而不同的阻變材料在憶阻器的反應(yīng)速度，阻變電壓等方面表現(xiàn)出明顯的差別。Hewlett-Packard(惠普)實驗室的 Struk用氧化鈦為阻變材料設(shè)計并通過仿真驗證了一種可靠的憶阻器器件 1-3 所示）。其上下電極采用 Pt 金屬，阻變層由 TiO2/TiO2-x的雙層結(jié)2-x為少氧氧化鈦）。TiO2-x層稱為 Doped 區(qū)，TiO2層稱為 Undoped 區(qū)-x層的阻值遠(yuǎn)小于 TiO2層，當(dāng)受到外界電場刺激時，氧離子發(fā)生遷2-x的界面發(fā)生移動，導(dǎo)致憶阻器的整體電阻值發(fā)生改變，從而產(chǎn)生憶VDopedTiOUndopedTiOPt Pt

圖 1-2 憶阻器結(jié)構(gòu)示意圖念的提出至今，通過實驗表明很多材料都具有優(yōu)、HfO2[16]等。而不同的阻變材料在憶阻器的反應(yīng)方面表現(xiàn)出明顯的差別。Hewlett-Packard(惠普)實鈦為阻變材料設(shè)計并通過仿真驗證了一種可靠的）。其上下電極采用 Pt 金屬，阻變層由 TiO2/TiO氧化鈦）。TiO2-x層稱為 Doped 區(qū)，TiO2層稱為值遠(yuǎn)小于 TiO2層，當(dāng)受到外界電場刺激時，氧發(fā)生移動，導(dǎo)致憶阻器的整體電阻值發(fā)生改變，V


本文編號：3383277