發(fā)布時間：2021-08-14 21:45

　　以Ti/Al/Ni/Au作為歐姆接觸金屬體系,通過電感耦合等離子體（ICP）刻蝕的預處理,在氫化物氣相外延法生長的單晶氮化鎵（GaN）材料的N面實現(xiàn)了良好的歐姆接觸,其比接觸電阻率為3.7×10-4Ω·cm²。通過掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、陰極熒光和光致發(fā)光譜對GaN N面的表面、光學特性進行了對比表征。結果表明:未刻蝕GaN襯底的N面表面存在一定的損傷層,導致近表面處含有大量缺陷,不利于歐姆接觸的形成;而ICP刻蝕處理有效地去除了損傷層。X射線光電子能譜（XPS）分析顯示刻蝕后樣品的Ga 3d結合能比未刻蝕樣品向高能方向移動了約0.3 e V,其肖特基勢壘則相應降低,有利于歐姆接觸的形成。同時對Fe摻雜半絕緣GaN的N面也進行了刻蝕處理,同樣實現(xiàn)了良好的Ti/Al/Ni/Au歐姆接觸,其比接觸電阻率為0.12Ω·cm²。 

【文章來源】：半導體技術. 2017,42(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
3 Fe摻雜Ga N的歐姆接觸
4 結論



本文編號：3343240