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一種提高晶粒表面缺陷檢測準確性的方法研究

發(fā)布時間:2021-08-14 21:09
  晶粒質(zhì)量影響半導(dǎo)體芯片性能,針對晶粒表面缺陷檢測的問題,本文提出了一種新的缺陷檢測方法,能有效抑制圖像噪聲,提高缺陷檢測準確性。首先,采用形態(tài)學(xué)閉合重建方法去除噪聲干擾。然后,將重建圖像灰度級別作為聚類樣本,構(gòu)建一個基于離差陣的K-means分割算法準則函數(shù),不斷更新聚類中心直至準則函數(shù)收斂,完成圖像分割。最后,提取分割晶粒輪廓信息,根據(jù)輪廓間的差異性,利用輪廓相似度識別缺陷晶粒。對2 937張晶粒圖像進行處理并測試,結(jié)果表明:該方法能有效濾除了圖像噪聲,更準確更快速地進行圖像分割,對良品檢測準確率為100%,對三種典型表面缺陷的平均檢測準確率為99.92%。 

【文章來源】:傳感技術(shù)學(xué)報. 2020,33(07)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:7 頁

【部分圖文】:

一種提高晶粒表面缺陷檢測準確性的方法研究


晶圓樣片

表面缺陷,晶粒,類型,劃痕


本文檢測的晶粒缺陷主要分為三個類型:表面冗余物、劃痕和晶體缺角,如圖2。表面冗余物主要由生產(chǎn)加工過程中的灰塵顆粒以及未清洗干凈的化學(xué)試劑殘留物引起的;劃痕和晶體缺角主要是拋光或者劃片過程中產(chǎn)生的機械損傷。

流程圖,缺陷,流程,輪廓


缺陷檢測流程如圖3所示。首先對采集的圖像進行形態(tài)學(xué)濾波去除噪聲干擾;統(tǒng)計形態(tài)學(xué)處理后圖像灰度級信息作為聚類樣本;采用K-means++選擇初始聚類中心;利用基于類內(nèi)和類間離差陣的K-means聚類分割圖像;提取分割后晶粒圖像輪廓d,若輪廓數(shù)N大于1,標記為缺陷;否則,依據(jù)模板晶粒輪廓u,利用輪廓相似度對輪廓d進行檢測,若匹配相似度P小于閾值T,標記為缺陷,否則標記為良品。

【參考文獻】:
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本文編號:3343191

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