銅鉭（Cu/Ta）界面在化學(xué)機械拋光（CMP）中易發(fā)生電偶腐蝕。研究了堿性拋光液中螯合劑對銅鉭開路電位以及拋光速率的影響。利用靜態(tài)與動態(tài)下的電化學(xué)方法,分別測得開路電壓和動電位極化曲線,表征了銅鉭分別在不同螯合劑體積分?jǐn)?shù)的拋光液中的化學(xué)反應(yīng)速率。CMP結(jié)果表明,隨著螯合劑體積分?jǐn)?shù)的增加,銅的去除速率不斷增加,而鉭的去除速率先增加后降低。同時,通過靜態(tài)腐蝕實驗和表面狀態(tài)表明,隨螯合劑體積分?jǐn)?shù)增加,銅表面絡(luò)合反應(yīng)加快,而鉭表面鈍化加重。當(dāng)螯合劑的體積分?jǐn)?shù)為0.2%時,在動態(tài)情況下,銅鉭之間腐蝕電位差降到0mV,表明螯合劑可以極大地降低Cu/Ta電偶腐蝕。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2017,54(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 Experiments
    1.1 Electrochemical Experiments
    1.2 Polishing Experiments
    1.3 Static Corrosion Experiments
2 Results and Discussion
    2.1 Estimation of Galvanic Corrosion from the Po-tentiodynamic Polarization Curves
    2.2 Removal Rates and Static Corrosion Rates of Copper and Tantalum
3 Conclusion


【參考文獻】：
期刊論文
[1]Cu/Ti在模擬海水中的電偶腐蝕行為（英文）[J]. 杜小青,楊青松,陳宇,楊洋,張昭.  Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2014(02)



本文編號：3338449