研究了AlGaN半導(dǎo)體p電極的Ni/Au/Ni/Au接觸結(jié)構(gòu)的性能和組織結(jié)構(gòu)。退火前,p電極接觸具有明顯的整流特性。經(jīng)空氣中550℃/3 min一次退火和N。氣氛中750℃/30 s二次退火后,電極呈現(xiàn)出了良好的歐姆接觸。采用掃描電鏡（Scanning Electron Microscope,SEM）、透射電鏡（`ansmission Electron Microscope,TEM）、能量分散譜儀（Energy Dispersive Spectrometer,EDS）和X射線光電子能譜（X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）觀察了電極退火后金半界面微結(jié)構(gòu)的演化過程。結(jié)果表明,完全退火后的p電極界面及金屬層出現(xiàn)了明顯的互擴(kuò)散和界面反應(yīng)現(xiàn)象;金-半界面上形成了存在良好共格/半共格關(guān)系的外延結(jié)構(gòu)。初始沉積的金屬電極分層現(xiàn)象消失,形成了單一的電極結(jié)構(gòu)。Ni向外擴(kuò)散并與0發(fā)生反應(yīng),Au擴(kuò)散至p-GaN表面。在金半接觸界面上,Ga擴(kuò)散至金屬電極,造成界面附近的金屬層中富集Au和Ga元素;Au和Ni明顯擴(kuò)散至半導(dǎo)體表層,在金半界面附近形成了Au、Ga和Ni富集現(xiàn)象... 

【文章來源】：紅外. 2016,37(02)

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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