相比于工藝成熟期器件研發(fā)以樣品測試分析為主,在新型器件研發(fā)的初始階段,需要依賴半導體器件性能參數(shù)的仿真模擬,明確器件的性能變化。其中,預測短溝道器件噪聲的擾動規(guī)律,探明其噪聲機理,對以40納米MOSFET為代表的短溝道器件的實用化尤為重要。傳統(tǒng)的半導體器件參數(shù)仿真工具主要采用漂移擴散模型和流體動力學模型,無法模擬溝道長度小于100納米的器件的射頻噪聲性能。因此,本文利用二維Monte Carlo仿真計算了溝道長度為40納米MOSFET的本征漏極電流噪聲的高頻功率譜密度,并據(jù)此分析了其受抑制的散粒噪聲特性。雖然Monte Carlo仿真分析的仿真精度不高,但該方法仿真流程相對簡單,并足以區(qū)分短溝道MOSFET與長溝道MOSFET本征熱噪聲特性不同的噪聲機理,對預評估短溝道器件性能和指導器件研發(fā)具有重要的意義。本文工作包括以下三個方面:首先,明確了二維Monte Carlo仿真流程。具體包括:通過設置所有載流子初始位置和波矢,從而實現(xiàn)了載流子的初始化。再通過對器件進行網格劃分,并根據(jù)載流子在網格中的空間位置合理設置所有網格節(jié)點的電荷密度值,從而實現(xiàn)器件內部載流子的電荷分配。據(jù)此進一步利用有... 

【文章來源】：西南科技大學四川省

【文章頁數(shù)】：56 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

射頻接收系統(tǒng)

所以 Monte Carlo 方法本質就是通過散射相聯(lián)系的隨機性事件。與碰撞相聯(lián)系的次碰撞后，下次碰撞發(fā)生的時間（自由飛類型子的波矢方向的選�。ㄅ鲎步Y束后載流子隨機的，但是大量的事件確遵循一定的統(tǒng)計統(tǒng)計規(guī)律的認識上的。，可以得到 Monte Carlo 方法模擬載流子一流子在外場作用下的自由飛行時間流子的自由飛行射機制流子的散射終態(tài)的運動是交替的自由飛行與散射，所以通過運動軌跡的模擬。上述步驟流程可以用圖 2

2 二維 Monte Carlo 仿真流程 仿真流程rlo 方法是二維 Monte Carlo 方法，平面硅基工藝來說，由于其在柵雜三維器件結構所帶來的困難，）會存在很大的困難。本文所模擬，因此本文采用二維 Monte Carlo lo 仿真流程包括以下幾方面：真載流子初始位置和波矢。，對載流子進行電荷分配。的電勢。處理載流子在器件中的傳輸。迭代，直到達到穩(wěn)態(tài)，保存獲取噪nte Carlo 仿真流程如圖 2-3 所示：

【參考文獻】：
期刊論文
[1]45 nm MOSFET毫米波小信號等效電路模型參數(shù)提取技術[J]. 李博,王軍.  強激光與粒子束. 2019(02)
[2]基于納米MOSFET噪聲的背散射系數(shù)研究[J]. 賈曉菲,何亮.  中國科學:物理學 力學 天文學. 2014(02)
[3]納米尺度MOSFET過剩噪聲的定性分析[J]. 唐冬和,杜磊,王婷嵐,陳華,陳文豪.  物理學報. 2011(10)

博士論文
[1]新型微波晶體管噪聲機理與噪聲模型研究[D]. 陳勇波.電子科技大學 2014
[2]納米尺度MOS器件的量子模擬方法研究[D]. 王豪.武漢大學 2009

碩士論文
[1]納米MOSFET毫米波等效電路建模[D]. 王丹丹.西南科技大學 2017



本文編號：3273943