LED圖形化行業(yè)對大面積納米圖形化具有巨大的需求,但現(xiàn)有各種微納米制造技術難以滿足其工業(yè)級生產的需求。盡管納米壓印被看作是最具潛能實現(xiàn)大面積納米圖形化的技術之一,但現(xiàn)有的大面積納米壓印存在的襯底翹曲易碎和填充不均勻的問題難以被解決。本文提出一種利用電滲驅動納米壓印新方式,其原理是用電滲流驅動力主動“提拉”光刻膠進入模具腔體來代替?zhèn)鹘y(tǒng)納米壓印中光刻膠被“擠壓”進入模具腔體,徹底解決納米壓印中尤其是大面積納米壓印中襯底翹曲易碎和填充不均勻的難題。提出一種基于PDMS軟模具結構的電滲驅動整片晶圓納米壓印的新工藝,用電滲驅動力代替?zhèn)鹘y(tǒng)納米壓印中施加在模板上的機械壓力,有效保護了大面積納米壓印中的翹曲、易碎型襯底。分析了電滲流的基本原理,參考電滲流在微流控芯片領域的應用,結合傳統(tǒng)大面積納米壓印中機械壓印力的施壓特點,推導出電滲驅動納米壓印代替?zhèn)鹘y(tǒng)納米壓印所需要的電場強度和填充時間。應用多物理場仿真軟件COMSOL Multiophysics建立電滲驅動納米壓印理論模型,并對影響其填充的參數(shù)進行了數(shù)值分析。通過分析,得出如下結論:光刻膠填充進入模具腔體的速度特性是先快后慢,總體填充速度較快;電場強... 

【文章來源】：青島理工大學山東省

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學位級別】：碩士

【圖文】：

高亮度LED的應用Fig.1-1ApplyofhighbrightnessLEDLED光效的提高包含兩個方面，即：提高內量子效率和光萃取效率

比如制造難度大，成本高等問題一直限制了 NPSS 大規(guī)模的應用。圖1-2 給出了藍寶石襯底圖形化和光晶體 LED 的外形結構圖。圖 1-2 高亮度 LED（藍寶石襯底圖形化和光子晶體）Fig.1-2 High Brightness LED（sapphire substrate graphical and photonic crystal fiber）目前已經提出 LED 圖形化的方法有多種，如光學光刻、電子束光刻、全息干涉光刻、納米球珠光刻、陽極氧化鋁模板（AAO）、刻蝕等[5～7]。但現(xiàn)有微納制

者接近式光刻設備無法滿足圖形分辨率要米，焦深約 2 微米，對于 5 微米以上翹然滿足納米圖形制造的要求，但成本高、AAO、激光干涉光刻等納米制造方法也都在存在某方面的不足，無法滿足規(guī)模化中葉，美國普林斯頓大學 Stephen Chou ithography）的概念[8]，這種技術是一種新。該技術借鑒了中國四大發(fā)明之一的印，類似于曝光和顯影工藝，然后通過等傳統(tǒng)的壓印與現(xiàn)代微電子工藝和材料結的分辨率極限等問題，顯示了超高分辨獨特優(yōu)點，很快受到業(yè)界的贊賞，并激發(fā)ou 教授當年提出的納米壓印原理技術圖。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]電潤濕納米壓印光刻膠的制備及其特性研究[J]. 黃春江,常剛,劉力行,曹瑞軍,孟令杰.  信息記錄材料. 2014(03)
[2]電驅動微納米模塑技術的成形機理及工藝參數(shù)影響研究[J]. 丁玉成,田洪淼,邵金友,李祥明.  機械工程學報. 2013(06)
[3]數(shù)值分析電誘導流變成型技術外部因素的影響[J]. 田洪淼,邵金友,丁玉成,李欣,李祥明.  微納電子技術. 2012(11)
[4]納米壓印技術進展及應用[J]. 羅康,段智勇.  電子工藝技術. 2009(05)
[5]電滲泵的研究進展[J]. 白竹川,高楊,劉婷婷,陳營端.  微納電子技術. 2009(04)

碩士論文
[1]面向NPSS的滾對平面納米壓印光刻機的研究與開發(fā)[D]. 李朝朝.青島理工大學 2013
[2]有機太陽能電池的電極調控[D]. 楊彬彬.蘇州大學 2013
[3]微通道內交變電場驅動電滲流及其混合數(shù)值模擬[D]. 張磊.南昌大學 2011



本文編號：3271323