隨著集成電路工藝的進步,器件尺寸和關(guān)鍵電荷等不斷的減小,使得工作在各種輻射環(huán)境下的電子器件中的集成電路極易受到輻射的干擾,從而造成電子器件故障。研究表明,在空間環(huán)境下高能粒子引起的軟錯誤已經(jīng)是影響集成電路失效的最主要模式。尤其是在目前深亞微米、納米時代,組合電路上的軟錯誤成指數(shù)級增長,高能粒子入射可能同時對組合電路上兩個或多個物理相連的節(jié)點產(chǎn)生影響,發(fā)生單粒子多瞬態(tài)效應（single event multiple transients,SEMT）,由單粒子瞬態(tài)效應（single event transients,SET）和SEMT引起的組合電路上的軟錯誤變得愈發(fā)不可忽視。目前,利用SPICE評估SET造成故障的方法,精度高,但由于仿真的時間過長,只適用于對規(guī)模小,結(jié)構(gòu)單一的單路進行分析。與SPICE仿真相比,基于硬件的故障模擬評估方法具有速度快的特點,適合規(guī)模較大的電路進行軟錯誤評估分析。目前對SEMT進行模擬評估的方法都只考慮了兩個瞬態(tài)錯誤的情況,但已有研究表明三個及其以上的瞬態(tài)錯誤已不可忽視。本文在總結(jié)SET和SEMT在組合電路上的產(chǎn)生機理和傳播特性的基礎(chǔ)上,對組合電路軟錯誤評估技... 

【文章來源】：西南科技大學四川省

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

軟錯誤率隨制造工藝增長圖

2 單粒子理論基礎(chǔ)太陽的活動以 11 年為一個周期，活動強烈的太陽的活動也就越強烈，特別是一旦發(fā)生太陽 年美國國家宇航局公開了通過衛(wèi)星(SOHO)拍般發(fā)生太陽耀斑時其通量能達到 109 2-1cm s

太陽的活動也就越強烈，特別是一旦發(fā)生太陽耀斑，輻2001 年美國國家宇航局公開了通過衛(wèi)星(SOHO)拍攝到的最]，一般發(fā)生太陽耀斑時其通量能達到 109 2-1cm s 。圖 2-2 探測器（SOHO）拍攝到的耀斑[37]Fig 2-2 Flares captured by SOHO[37]

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]單粒子瞬態(tài)效應硬件模擬技術(shù)研究[D]. 張鳳.電子科技大學 2018
[2]基于庫單元的SET硬件模擬技術(shù)研究[D]. 汪再金.電子科技大學 2016
[3]納米數(shù)字電路軟錯誤率分析關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 袁德冉.合肥工業(yè)大學 2016
[4]深亞微米下SET故障模擬技術(shù)的研究[D]. 葉世旺.電子科技大學 2014
[5]邏輯電路軟錯誤率評估模型設(shè)計與實現(xiàn)[D]. 宋超.國防科學技術(shù)大學 2010
[6]抗輻射加固SRAM設(shè)計與測試[D]. 王振.國防科學技術(shù)大學 2010
[7]星載計算機COTS技術(shù)下抗SEL輻射效應研究與實現(xiàn)[D]. 李毅.國防科學技術(shù)大學 2006



本文編號：3271587