隨著集成電路工藝的進(jìn)步,器件尺寸和關(guān)鍵電荷等不斷的減小,使得工作在各種輻射環(huán)境下的電子器件中的集成電路極易受到輻射的干擾,從而造成電子器件故障。研究表明,在空間環(huán)境下高能粒子引起的軟錯(cuò)誤已經(jīng)是影響集成電路失效的最主要模式。尤其是在目前深亞微米、納米時(shí)代,組合電路上的軟錯(cuò)誤成指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),高能粒子入射可能同時(shí)對(duì)組合電路上兩個(gè)或多個(gè)物理相連的節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生影響,發(fā)生單粒子多瞬態(tài)效應(yīng)（single event multiple transients,SEMT）,由單粒子瞬態(tài)效應(yīng)（single event transients,SET）和SEMT引起的組合電路上的軟錯(cuò)誤變得愈發(fā)不可忽視。目前,利用SPICE評(píng)估SET造成故障的方法,精度高,但由于仿真的時(shí)間過長(zhǎng),只適用于對(duì)規(guī)模小,結(jié)構(gòu)單一的單路進(jìn)行分析。與SPICE仿真相比,基于硬件的故障模擬評(píng)估方法具有速度快的特點(diǎn),適合規(guī)模較大的電路進(jìn)行軟錯(cuò)誤評(píng)估分析。目前對(duì)SEMT進(jìn)行模擬評(píng)估的方法都只考慮了兩個(gè)瞬態(tài)錯(cuò)誤的情況,但已有研究表明三個(gè)及其以上的瞬態(tài)錯(cuò)誤已不可忽視。本文在總結(jié)SET和SEMT在組合電路上的產(chǎn)生機(jī)理和傳播特性的基礎(chǔ)上,對(duì)組合電路軟錯(cuò)誤評(píng)估技... 

【文章來(lái)源】：西南科技大學(xué)四川省

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

軟錯(cuò)誤率隨制造工藝增長(zhǎng)圖

2 單粒子理論基礎(chǔ)太陽(yáng)的活動(dòng)以 11 年為一個(gè)周期，活動(dòng)強(qiáng)烈的太陽(yáng)的活動(dòng)也就越強(qiáng)烈，特別是一旦發(fā)生太陽(yáng) 年美國(guó)國(guó)家宇航局公開了通過衛(wèi)星(SOHO)拍般發(fā)生太陽(yáng)耀斑時(shí)其通量能達(dá)到 109 2-1cm s

太陽(yáng)的活動(dòng)也就越強(qiáng)烈，特別是一旦發(fā)生太陽(yáng)耀斑，輻2001 年美國(guó)國(guó)家宇航局公開了通過衛(wèi)星(SOHO)拍攝到的最]，一般發(fā)生太陽(yáng)耀斑時(shí)其通量能達(dá)到 109 2-1cm s 。圖 2-2 探測(cè)器（SOHO）拍攝到的耀斑[37]Fig 2-2 Flares captured by SOHO[37]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[2]基于庫(kù)單元的SET硬件模擬技術(shù)研究[D]. 汪再金.電子科技大學(xué) 2016
[3]納米數(shù)字電路軟錯(cuò)誤率分析關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 袁德冉.合肥工業(yè)大學(xué) 2016
[4]深亞微米下SET故障模擬技術(shù)的研究[D]. 葉世旺.電子科技大學(xué) 2014
[5]邏輯電路軟錯(cuò)誤率評(píng)估模型設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 宋超.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010
[6]抗輻射加固SRAM設(shè)計(jì)與測(cè)試[D]. 王振.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010
[7]星載計(jì)算機(jī)COTS技術(shù)下抗SEL輻射效應(yīng)研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 李毅.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3271587