隨自旋電子學的發(fā)展,自旋熱電效應在過去二十年中備受關(guān)注。在自旋電子學中,核心的問題是通過電壓來控制電子的自旋自由度。而在自旋熱電效應中,控制自旋的方法主要是熱偏壓,即在系統(tǒng)的不同端口之間所施加的溫度梯度。因此研究自旋熱效應需要將自旋電子學和熱電學結(jié)合考慮。本文研究兩種形狀的三量子點系統(tǒng)中的自旋塞貝克效應,重點考慮量子點之間的耦合強度依賴于自旋自由度時對熱電轉(zhuǎn)換效率和熱電勢大小的影響。當在量子點之間的隧道結(jié)處施加靜磁場時,電子的自旋自由度在通過勢壘時會有拉莫爾進動,因此量子點間耦合的變得和自旋相關(guān)。本文所研究的系統(tǒng)的哈密頓量由多雜質(zhì)安德森模型來表示,電子的透射系數(shù)由非平衡Keldysh格林函數(shù)理論框架下的運動方程方法計算得到,主要研究結(jié)果包括:（一）在和鐵磁引線耦合的三量子點環(huán)中,發(fā)現(xiàn)引線的鐵磁性和自旋相關(guān)的點間耦合的共同作用導致了較大的自旋熱電勢和自旋優(yōu)值因子,其數(shù)值可能達到電荷熱電勢和優(yōu)值因子的大小。量子相消干涉效應對自旋熱電勢和自旋優(yōu)值因子影響更加明顯。此外,還可以通過改變引線的磁矩和自旋相關(guān)的點間耦合改變自旋熱電勢的符號。（二）在兩個量子點與普通金屬電極耦合的三量子點結(jié)構(gòu)中,當這... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

CdSe量子點的尺寸相關(guān)性光致發(fā)光(PL)光譜

電子科技大學碩士學位論文光顏色的量子點可以由相同的材料通過改變它們較大（較�。┑某叽�，發(fā)射更接近紅色（藍色）。成的膠體量子點可以獲得所需的粒。通過這種方到具有我們所需能量譜的量子點，且具有高量子nS 殼的 CdSe 或 CdTe 核量子點（見圖 2-2）。這核的化學損傷。由于 ZnS 對光發(fā)射范圍是光學透相關(guān)的光子損失[54]。

第二章 量子點及量子點系統(tǒng)中電子的輸運特性附近產(chǎn)生諧振狀態(tài)。當量子干涉發(fā)生在兩個競爭光路之間時會產(chǎn)生，一個連接能量基態(tài)和一個激發(fā)離散態(tài)，另一個連接基態(tài)和連續(xù)的能態(tài)。干擾的性質(zhì)隨能量的變化而迅速變化，從而產(chǎn)生特征性的不對稱線形。在解釋半導體中的電子傳輸和光譜時，F(xiàn)ano 效應尤為重要。Fano 效應是在包括中子散射，原子光電離，拉曼散射和光吸收在內(nèi)的各種實驗中觀察到的無處不在的現(xiàn)象。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]半導體量子點及其應用概述[J]. 李世國,王新中,范金坪,夏林中,張春曉,杜軍.  科技信息. 2011(29)

博士論文
[1]量子點系統(tǒng)中的熱電輸運研究[D]. 徐衛(wèi)平.山西大學 2017



本文編號：3227327