發(fā)布時間：2021-05-24 16:28

　　采用數(shù)字微鏡器件（DMD）無掩模光刻技術,以飛秒激光為光源,結合大面積拼接的方法快速制備了具有較高分辨率和毫米尺寸的大面積微納結構。提出以單子場投影線掃描的方式進一步改善由于光場能量分布不均勻引起的結構邊緣粗糙的問題,極大地降低了線條的邊緣粗糙度,有效地控制了結構的精度。本研究以半導體領域常用的正性光刻膠為主要研究對象,實現(xiàn)了面積為7.4mm2的1μm等間距線陣列和面積為38.7mm2的10μm等間距線陣列結構的快速制備。本研究為大面積微納結構制備提供了一種新方法,所制備結構可應用于氣液流動、藥物輸運及晶體生長等領域。 

【文章來源】：激光與光電子學進展. 2020,57(11)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗方案與裝置
    2.1 實驗試劑與儀器
    2.2 正膠微結構制備流程
3 結果與討論
    3.1 分辨率
    3.2 邊緣粗糙度
    3.3 大面積結構制備
    3.4 浸潤性能表征
4 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]數(shù)字掩模投影光刻的極限分辨率研究[J]. 劉玉環(huán),趙圓圓,董賢子,鄭美玲,段宣明,趙震聲.  量子電子學報. 2019(03)
[2]飛秒激光直寫制備蛋白質功能化器件[J]. 孫思明,孫允陸,劉東旭,陳岐岱,董文飛,孫洪波.  激光與光電子學進展. 2013(08)
[3]一種適用于數(shù)字微鏡無掩模光刻的圖形拼接方法[J]. 朱江平,胡松,于軍勝,陳銘勇,何渝,劉旗.  中國激光. 2012(06)
[4]基于DMD的步進式無掩模數(shù)字曝光方法及裝置[J]. 嚴偉,胡松,唐小萍,趙立新,楊勇,蔣文波,周紹林,陳旺富.  電子工業(yè)專用設備. 2008(10)



本文編號：3204496