基于SMIC 0.18μm HVBCD工藝,移除了3層掩模板。調(diào)整器件的結(jié)構(gòu)參數(shù),對橫向雙擴散MOS管（NLDMOS）進行了分批流片。該NLDMOS通過了電學(xué)性能合格測試。對源漏擊穿電壓BV_ds、比導(dǎo)通電阻R_on進行了測試和分析。結(jié)果表明,BV_ds達到59.2 V,R_on為50.5 mΩ·mm²。與原有的HVBCD工藝的電參數(shù)保持一致。該NLDMOS的柵極耐壓值達到40 V,同時降低了成本,縮短了生產(chǎn)周期。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 工藝流程調(diào)整
    1.1 移除DNW掩模板
    1.2 移除NDrift、PDrift掩模板
2 NLDMOS的結(jié)構(gòu)參數(shù)
3 實驗與結(jié)果討論
    3.1 DLB對BVds和Ron的影響
    3.2 DS因子對BVds和Ron的影響
    3.3 DDX對BVds和Ron的影響
    3.4 DFX因子對BVds和Ron的影響
    3.5 最優(yōu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)
4 結(jié) 論



本文編號：3157006