電極處理及修飾對OLED器件性能的影響
發(fā)布時(shí)間:2021-03-24 13:00
近年來,有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)因?yàn)槠渚哂械淖园l(fā)光、廣視角(>170°)、面板輕。<2 mm)和較低的操作電壓(37V)等優(yōu)點(diǎn),使其成為國內(nèi)外最熱門的顯示技術(shù)。在最近三十年里,OLED技術(shù)得到了迅速的發(fā)展,其器件結(jié)構(gòu)、壽命和發(fā)光性能都已達(dá)到商業(yè)化生產(chǎn)使用的要求。但由于傳統(tǒng)液晶顯示技術(shù)非常成熟,仍需要對OLED器件的各種特性進(jìn)行改進(jìn)。典型的OLED器件由氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)陽極和具有低功函數(shù)的金屬陰極之間夾著多層有機(jī)薄膜功能層構(gòu)成。OLED在外置正向偏壓的作用下,在發(fā)光層發(fā)出的光從玻璃那一面出射到器件的外部。但在實(shí)際應(yīng)用中,OLED的器件結(jié)構(gòu)本身存在著一些問題。首先,相比于空穴傳輸層材料,作為陽極的ITO功函數(shù)偏低,這使得空穴注入比較困難?昭ê碗娮幼⑷氩黄胶鈺(huì)影響器件的效率。其次,ITO是一種親水的無機(jī)材料,其與疏水的有機(jī)材料之間的接觸性能較差。較差的界面接觸特性使形成的有機(jī)層不穩(wěn)定,進(jìn)而影響了OLED器件的運(yùn)行壽命。最后,在OLED器件結(jié)構(gòu)中各個(gè)層之間...
【文章來源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
OLED技術(shù)的主要發(fā)展過程
合肥工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文的 OLED 器件[2]。該器件電極端產(chǎn)生的載流子經(jīng)由使器件在具有較高的發(fā)光效率的同時(shí)保持較低的工作為一種極具發(fā)展?jié)摿夹g(shù)引起人們的重視。他們和生產(chǎn)的先河。二人因?yàn)樵?OLED 發(fā)展上的杰出貢協(xié)會(huì)授予工業(yè)創(chuàng)新獎(jiǎng)。在柯達(dá)公司研究基礎(chǔ)上,J. H發(fā)光聚合物器件。該成果于 1990 年發(fā)表在 Nature 雜D 顯示技術(shù)的熱潮[5]。
會(huì)授予工業(yè)創(chuàng)新獎(jiǎng)。在柯達(dá)公司研究基礎(chǔ)上,光聚合物器件。該成果于 1990 年發(fā)表在 Natu 顯示技術(shù)的熱潮[5]。Ching W.Tang 于 1987 年制備的首例 OLED 器he structure of the first OLED device made by Ching W. 段:2000 年至今。OLED 技術(shù)開始被應(yīng)用在多
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]LiF作為電子注入層對OLEDs器件性能的影響(英文)[J]. 李志賢,張方輝,趙彥釗,王秀峰. 液晶與顯示. 2008(01)
[2]利用BCP空穴阻擋層改善白光OLED色度的研究[J]. 吳曉明,華玉林,王肇圻,印壽根,鄧家春,劉嵩,朱飛劍,吳空物,牛霞. 光電子·激光. 2006(10)
[3]高分子共混物薄膜表面形貌形成過程中的溶劑效應(yīng)[J]. 宗騏,謝續(xù)明,王秀鳳. 高等學(xué);瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2004(12)
[4]ITO薄膜的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)及其應(yīng)用[J]. 馬勇,孔春陽. 重慶大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(08)
博士論文
[1]Sn摻雜In2O3和In2O3薄膜的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 張玉杰.天津大學(xué) 2015
本文編號(hào):3097769
【文章來源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
OLED技術(shù)的主要發(fā)展過程
合肥工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文的 OLED 器件[2]。該器件電極端產(chǎn)生的載流子經(jīng)由使器件在具有較高的發(fā)光效率的同時(shí)保持較低的工作為一種極具發(fā)展?jié)摿夹g(shù)引起人們的重視。他們和生產(chǎn)的先河。二人因?yàn)樵?OLED 發(fā)展上的杰出貢協(xié)會(huì)授予工業(yè)創(chuàng)新獎(jiǎng)。在柯達(dá)公司研究基礎(chǔ)上,J. H發(fā)光聚合物器件。該成果于 1990 年發(fā)表在 Nature 雜D 顯示技術(shù)的熱潮[5]。
會(huì)授予工業(yè)創(chuàng)新獎(jiǎng)。在柯達(dá)公司研究基礎(chǔ)上,光聚合物器件。該成果于 1990 年發(fā)表在 Natu 顯示技術(shù)的熱潮[5]。Ching W.Tang 于 1987 年制備的首例 OLED 器he structure of the first OLED device made by Ching W. 段:2000 年至今。OLED 技術(shù)開始被應(yīng)用在多
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]LiF作為電子注入層對OLEDs器件性能的影響(英文)[J]. 李志賢,張方輝,趙彥釗,王秀峰. 液晶與顯示. 2008(01)
[2]利用BCP空穴阻擋層改善白光OLED色度的研究[J]. 吳曉明,華玉林,王肇圻,印壽根,鄧家春,劉嵩,朱飛劍,吳空物,牛霞. 光電子·激光. 2006(10)
[3]高分子共混物薄膜表面形貌形成過程中的溶劑效應(yīng)[J]. 宗騏,謝續(xù)明,王秀鳳. 高等學(xué);瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2004(12)
[4]ITO薄膜的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)及其應(yīng)用[J]. 馬勇,孔春陽. 重慶大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(08)
博士論文
[1]Sn摻雜In2O3和In2O3薄膜的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 張玉杰.天津大學(xué) 2015
本文編號(hào):3097769
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