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基于SiC MOSFET的高速永磁同步電機驅動控制技術研究

發(fā)布時間:2021-03-15 07:05
  高速永磁同步電機(HSPMSM)具有功率密度大、控制精度高、體積小等優(yōu)點,廣泛應用于高速空氣壓縮機等諸多場合。然而,由于定子電感小、電流基波頻率高的特點,HSPMSM在驅動控制過程存在相電流諧波含量高、交叉耦合和數(shù)字延時影響加重的問題。論文以Si C MOSFET驅動器為基礎,研究HSPMSM驅動控制技術,能夠有效抑制和解決上述問題。首先,以d-q坐標系下HSPMSM數(shù)學模型為基礎,建立電機復矢量模型,推導考慮交叉耦合和數(shù)字延時的電流環(huán)精確模型,為后文電流環(huán)穩(wěn)定性分析奠定理論基礎;對Si C MOSFET的開通過程和關斷過程分別建模,為下文Si C MOSFET驅動技術研究提供理論指導。其次,研究Si C MOSFET驅動電路設計中相關問題,并提出解決方案。以Si C MOSFET開關過程數(shù)學模型為理論依據(jù),以SIMetrix仿真為分析工具,對Si C MOSFET的驅動參數(shù)、漏源極過電壓及振蕩問題、柵極串擾問題進行分析,并提出調(diào)整驅動參數(shù)、并聯(lián)吸收電容和添加密勒鉗位的優(yōu)化方案。然后,結合交叉耦合和數(shù)字延時問題,研究HSPMSM的電流環(huán)穩(wěn)定性并對電流調(diào)節(jié)器進行設計。通過FFT分析證明了... 

【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:120 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于SiC MOSFET的高速永磁同步電機驅動控制技術研究


電流采樣電路

基于SiC MOSFET的高速永磁同步電機驅動控制技術研究


母線電壓采樣電路

基于SiC MOSFET的高速永磁同步電機驅動控制技術研究


驅動主電路原理圖


本文編號:3083767

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