半導(dǎo)體微盤激光器自誕生以來(lái),由于其體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、閾值低,Q值較高,易于制備,被廣泛應(yīng)用于大規(guī)模光子集成電路和超大規(guī)模光通信系統(tǒng)的光源,尤其在光電子信息集成網(wǎng)絡(luò)和全光網(wǎng)絡(luò)中占有十分重要的位置。量子級(jí)聯(lián)微盤激光器激出射波長(zhǎng)較長(zhǎng)且制備工藝簡(jiǎn)單,在氣體檢測(cè)、紅外對(duì)抗、太赫茲成像、光路互聯(lián)等方面前景十分廣闊。然而量子級(jí)聯(lián)微腔激光器由于其獨(dú)特的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)使得熱效應(yīng)十分嚴(yán)重,在一定程度上限制了量子級(jí)聯(lián)微盤激光器的發(fā)展。為此本文重點(diǎn)研究了量子級(jí)聯(lián)微盤激光器熱特性,改善其工作時(shí)激光器芯片溫度過(guò)高,降低功率的問(wèn)題。本文設(shè)計(jì)新型倒封裝結(jié)構(gòu)蝸線形微盤腔半導(dǎo)體激光器,以改善微盤激光器的散熱效果、提升輸出功率。實(shí)驗(yàn)中首先使用ANSYS有限元軟件,分析了正、倒封裝時(shí)微盤激光器的散熱效果,模擬結(jié)果顯示倒裝的微盤激光器管芯溫度較正裝微盤激光器降低20K左右;并模擬分析In焊料、AuSn焊料、InSn焊料、AlN散熱片在倒裝微盤激光器工作時(shí)散熱效果的影響,模擬結(jié)果顯示In焊料具有更好的散熱效果。據(jù)此設(shè)計(jì)了能夠?qū)崿F(xiàn)倒裝的微盤腔半導(dǎo)體激光器的新型結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的工藝流程。使用InP基InGaAs/InAlAs量子級(jí)聯(lián)材料制備了... 

【文章來(lái)源】：長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省

【文章頁(yè)數(shù)】：65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

F-P腔激光器示意圖

光子晶體微腔

回音壁模式的建筑

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[4]基于FTIR的紅外光纖損耗譜特性測(cè)試系統(tǒng)研究[D]. 楊從輝.復(fù)旦大學(xué) 2012
[5]基于C-Mount熱沉封裝不同激光器芯片尺寸熱分析[D]. 馬祥柱.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2011
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本文編號(hào)：3083088