第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC材料因具有良好的電學(xué)和物理特性而被廣泛地研究和應(yīng)用。和傳統(tǒng)的Si、Ge相比,高的臨界擊穿電場(chǎng)和更高的熱導(dǎo)率,使4H-SiC成為制造高功率器件的首選。采用4H-SiC功率器件代替Si功率器件的電子系統(tǒng),可以省去系統(tǒng)的冷卻裝置從而大大降低系統(tǒng)的體積和成本。作為4H-SiC功率半導(dǎo)體器件的重要器件類型之一,4H-SiC JBS二極管已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。但是隨著4H-SiC JBS二極管在功率電子電力系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用,4H-SiC JBS二極管仍然存在很多問題亟待解決,尤其是應(yīng)用過程中暴露出的4H-SiC JBS的高溫反偏應(yīng)力（High-Temperature Reverse-Bias,HTRB）可靠性問題。4H-SiC JBS二極管在高溫反偏應(yīng)力作用下的退化機(jī)制尚不清楚。本文詳細(xì)研究了以非等間距場(chǎng)限環(huán)（Non-equidistance FLRs）為終端結(jié)構(gòu)的1.2kV4H-SiC JBS二極管在高溫反偏應(yīng)力作用下的電參數(shù)退化規(guī)律、退化機(jī)理以及器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案。主要的研究方法和內(nèi)容如下:首先對(duì)室溫和高溫反偏應(yīng)力下器件的參數(shù)退化規(guī)律進(jìn)行研究:在室溫下,將4H-SiC JBS二... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：86 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

用TO-247S封裝好的待測(cè)1.2kV4H-SiCJBS二極管示意圖

器件分析儀AgientB1505A的示意圖

待測(cè)Non-equidistanceFLRs終端結(jié)構(gòu)的1.2kV4H-SiCJBS二極管結(jié)構(gòu)圖

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]4H-SiC功率肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和結(jié)型勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管的研究[D]. 陳豐平.西安電子科技大學(xué) 2012

碩士論文
[1]4H-SiC PiN二極管高溫可靠性研究[D]. 李家昌.西安電子科技大學(xué) 2014
[2]新型終端結(jié)構(gòu)的4H-SiC SBD理論和實(shí)驗(yàn)研究[D]. 袁昊.西安電子科技大學(xué) 2014
[3]大功率碳化硅PiN二極管擊穿特性的模擬研究[D]. 鄭慶立.西安電子科技大學(xué) 2010



本文編號(hào)：3082726