基于等離子轟擊和射頻磁控濺射技術(shù),制備了HfO₂/SrTiO₃結(jié)構(gòu)的全氧化物場效應(yīng)晶體管（FET）,并研究了其柵極漏電性質(zhì)。該全氧化物晶體管的制備工藝均在室溫條件下完成,包括Ar⁺轟擊在SrTiO₃單晶表面產(chǎn)生的導(dǎo)電溝道,濺射生長非晶HfO₂薄膜作為柵極介質(zhì)層。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)濺射工藝中的氧分壓對(duì)HfO₂柵極漏電性質(zhì)的影響顯著。當(dāng)氧氬分壓比從1∶10增加到1∶2時(shí),HfO₂柵極的漏電密度明顯降低。對(duì)變溫漏電數(shù)據(jù)的分析表明,HfO₂柵極的漏電以空間電荷限制電流（SCLC）機(jī)制為主導(dǎo)。對(duì)于低氧分壓制備的柵極,其SCLC漏電機(jī)制的特征溫度（T_t）和缺陷密度（N_t）分別為796 K和5.3×10¹⁸ cm^-3。而氧分壓提高后,柵極SCLC漏電的T_t降低為683 K,同時(shí)N_t下降為1.2×10

【文章來源】：電子元件與材料. 2020,39(09)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

(a)Ar+轟擊 STO 方阻溫度依賴性;(b)Ar+轟擊

(a)樣品1漏電與溫度依賴關(guān)系;

不同樣品IDS-UGS(a)和gm-UGS曲線(b)


本文編號(hào)：3083118