絕緣柵雙極晶體管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）在新能源并網(wǎng)、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用,其可靠性引起了人們關(guān)注和重視。針對IGBT模塊的可靠性分析和剩余使用壽命問題,文中提出一種利用加速老化數(shù)據(jù)對IGBT模塊老化模型建立方法,并利用建立的老化模型對IGBT模塊的剩余使用壽命進行預(yù)測。首先介紹IGBT的失效機理,結(jié)合現(xiàn)有的加速老化數(shù)據(jù),確定的以集電極-發(fā)射極通態(tài)壓降作為剩余使用壽命預(yù)測依據(jù)。建立基于GARCH模型的IGBT老化壽命模型,通過3組IGBT模塊加速老化數(shù)據(jù)對剩余壽命預(yù)測,驗證所提方法的有效性。 

【文章來源】：中國電機工程學(xué)報. 2020,40(18)北大核心

【文章頁數(shù)】：10 頁

【部分圖文】：

IGBT的VCE(on)變化趨勢2.02.1循環(huán)次數(shù)/萬次02468


本文編號：3077291