Na-Mg共摻ZnO薄膜的制備及發(fā)光性能研究
發(fā)布時間:2021-03-11 14:23
氧化鋅(ZnO)是一種獨(dú)特的寬禁帶半導(dǎo)體材料。ZnO具有高達(dá)60meV的激子結(jié)合能,300K下的Eg=3.37eV。由于ZnO具有多種優(yōu)異的特性,使其在壓電器件、發(fā)光器件、激光器、紫外探測器等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。其中,在ZnO薄膜中摻雜可以提高其光致發(fā)光的特性,而雙摻雜已經(jīng)成為現(xiàn)階段的研究熱點(diǎn)。采用溶膠-凝膠工藝來制備ZnO薄膜、MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)和NayMg0.2Zn0.8-yO 薄膜(y=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05),首先對薄膜樣品進(jìn)行 SEM和XRD的表征,研究Na+、Mg2+的摻雜濃度和350℃~500℃范圍內(nèi)的退火溫度對薄膜的表面形貌及結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明,Mg0.20Zn0.800薄膜晶粒分布均勻,在(002)晶面的衍射峰強(qiáng)比ZnO薄膜提高79.93%;Na0.02Mg0.2Zn0.780薄膜晶粒均勻致密,c軸擇優(yōu)取向生長,衍射峰強(qiáng)比Mg0.20Zn0.80O薄膜提高288.28%;退火溫度T=450℃時,Na0.02Mg0.2Zn0.78O薄膜表面更加光滑,衍射峰強(qiáng)比未退火時提高48.25%。然后對 ZnO...
【文章來源】:長春理工大學(xué)吉林省
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)[4]
20第3章Na-Mg共摻ZnO薄膜的形貌與結(jié)構(gòu)研究工藝參數(shù)的改變會對薄膜樣品的表面形貌和結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一定的影響。本章對ZnO薄膜、MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)及NayMg0.2Zn0.8-yO薄膜(y=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05)進(jìn)行表面形貌和結(jié)構(gòu)的表征。研究Mg2+的摻雜量對薄膜的表面形貌和結(jié)構(gòu)的影響,并尋找薄膜成膜的質(zhì)量和結(jié)晶度較好的MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)即確定x值。然后在該薄膜的基礎(chǔ)上,研究Na+的摻雜量對薄膜的表面形貌和結(jié)構(gòu)的影響,并尋找晶粒大小一致、晶粒分布均勻、薄膜表面平整光滑的NayMgxZn1-x--yO薄膜(y=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05)即確定y值。最后在該薄膜的基礎(chǔ)上,在30min的退火時間、退火氣氛為空氣的條件下,研究不同的退火溫度(T=350℃、400℃、450℃、500℃)對薄膜的表面形貌及結(jié)構(gòu)的影響,并尋找最佳的退火溫度。3.1Na-Mg共摻ZnO薄膜的表面形貌研究3.1.1摻雜濃度對共摻薄膜表面形貌的影響從薄膜的表面形貌測試圖中可以直觀地看出薄膜質(zhì)量的優(yōu)劣,進(jìn)而直接影響到薄膜的性能,所以對薄膜表面形貌影響因素的研究較為重要。其中,摻雜濃度的不同會導(dǎo)致ZnO薄膜表面形貌出現(xiàn)一定的差異。(1)ZnO薄膜的表面形貌對ZnO薄膜的表面形貌表征,測試結(jié)果如圖3.1所示。由圖3.1可以看出,ZnO薄膜的顆粒大小是不同的,晶粒分布較為雜亂。圖3.1ZnO薄膜的SEM圖(2)Mg摻雜量對MgxZn1-xO薄膜表面形貌的影響
21對Mg摻雜量不同的MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)進(jìn)行SEM的測試,測試結(jié)果如圖3.2所示。(a)(b)(c)圖3.2MgxZn1-xO薄膜的SEM圖(x=0.18、0.20、0.22)(a)Mg0.18Zn0.82O薄膜(b)Mg0.20Zn0.80O薄膜(c)Mg0.22Zn0.78O薄膜由圖3.1和圖3.2(a)、(b)、(c)可以看出,相比于ZnO薄膜,摻雜Mg之后的MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)的晶粒分布均勻致密,薄膜表面較為平整。由圖3.2(a)看出,Mg0.18Zn0.82O薄膜的晶粒尺寸范圍在25~50nm左右,薄膜表面是不光滑的。因為Mg2+摻雜量不足,雖然Mg2+占據(jù)了晶格位置,但是有些被Mg2+替代的Zn2+會以團(tuán)簇或者間隙離子的狀態(tài)分布在Mg0.18Zn0.82O薄膜內(nèi),使得薄膜表面是粗糙的。由圖3.2(b)看出,Mg0.20Zn0.80O薄膜的晶粒尺寸范圍在20nm~25nm左右,薄膜晶粒的數(shù)目增多,尺寸減校因為Mg2+摻雜量的增加,Mg2+逐漸替代了Zn2+,Zn2+含量減小而Mg2+含量增加,薄膜中Mg2+的均勻分布,使得薄膜表面平整。由圖3.2(c)看出,Mg0.22Zn0.78O薄膜有晶體析出。說明Mg2+的摻雜量越來越多,
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]脈沖激光沉積法生長的石英基ZnO薄膜特性[J]. 何建廷,魏芹芹,楊淑連,王雅靜. 山東理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2019(04)
[2]襯底溫度對Na-Mg共摻ZnO薄膜光學(xué)性能的影響[J]. 王玉新,劉奇,臧谷丹,崔瀟文,劉子偉,梁鳴. 光電子·激光. 2017(12)
[3]溶膠凝膠工藝制備超親水耐污穢易清潔涂層的研究[J]. 魏美玲,閆法強(qiáng),丁彥霞,郭志軍,王守興,牟善浩. 硅酸鹽通報. 2017(12)
[4]摻雜N的P型ZnO薄膜制備與特性研究[J]. 趙文海. 科技經(jīng)濟(jì)導(dǎo)刊. 2017(25)
[5]原子層沉積生長電學(xué)性質(zhì)可調(diào)ZnO薄膜工藝[J]. 張思敏,程嵩,盧維爾,夏洋. 微納電子技術(shù). 2016(09)
[6]Na/Mg共摻ZnO薄膜的溶膠-凝膠法制備及特性研究[J]. 張彩珍,陳永剛,劉肅,王永順. 半導(dǎo)體技術(shù). 2016(07)
[7]化學(xué)氣相沉積法制備納微ZnO的實驗和模擬研究進(jìn)展[J]. 田會娟,郝斌,徐俊波,田亞峻,溫浩. 材料導(dǎo)報. 2016(01)
[8]射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優(yōu)化[J]. 王怡,李合增,李東臨,郭瑞. 真空. 2015(04)
[9]ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的制備與特性研究[J]. 和曉曉,王文軍,李淑紅,劉云龍,史強(qiáng). 中國激光. 2014(06)
[10]寬帶隙半導(dǎo)體材料光電性能的測試[J]. 郭媛,陳鵬,孟慶芳,于治國,楊國鋒,張榮,鄭有炓. 半導(dǎo)體技術(shù). 2011(11)
碩士論文
[1]溶膠凝膠工藝制備NaMgZnO薄膜及其光學(xué)性能研究[D]. 劉子偉.遼寧師范大學(xué) 2017
[2]超聲噴霧熱解法制備Na-Mg共摻ZnO薄膜及光學(xué)性能的研究[D]. 梁鳴.遼寧師范大學(xué) 2014
[3]Na-Mg共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)研究[D]. 鎖雅芹.蘭州大學(xué) 2010
本文編號:3076605
【文章來源】:長春理工大學(xué)吉林省
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)[4]
20第3章Na-Mg共摻ZnO薄膜的形貌與結(jié)構(gòu)研究工藝參數(shù)的改變會對薄膜樣品的表面形貌和結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一定的影響。本章對ZnO薄膜、MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)及NayMg0.2Zn0.8-yO薄膜(y=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05)進(jìn)行表面形貌和結(jié)構(gòu)的表征。研究Mg2+的摻雜量對薄膜的表面形貌和結(jié)構(gòu)的影響,并尋找薄膜成膜的質(zhì)量和結(jié)晶度較好的MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)即確定x值。然后在該薄膜的基礎(chǔ)上,研究Na+的摻雜量對薄膜的表面形貌和結(jié)構(gòu)的影響,并尋找晶粒大小一致、晶粒分布均勻、薄膜表面平整光滑的NayMgxZn1-x--yO薄膜(y=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05)即確定y值。最后在該薄膜的基礎(chǔ)上,在30min的退火時間、退火氣氛為空氣的條件下,研究不同的退火溫度(T=350℃、400℃、450℃、500℃)對薄膜的表面形貌及結(jié)構(gòu)的影響,并尋找最佳的退火溫度。3.1Na-Mg共摻ZnO薄膜的表面形貌研究3.1.1摻雜濃度對共摻薄膜表面形貌的影響從薄膜的表面形貌測試圖中可以直觀地看出薄膜質(zhì)量的優(yōu)劣,進(jìn)而直接影響到薄膜的性能,所以對薄膜表面形貌影響因素的研究較為重要。其中,摻雜濃度的不同會導(dǎo)致ZnO薄膜表面形貌出現(xiàn)一定的差異。(1)ZnO薄膜的表面形貌對ZnO薄膜的表面形貌表征,測試結(jié)果如圖3.1所示。由圖3.1可以看出,ZnO薄膜的顆粒大小是不同的,晶粒分布較為雜亂。圖3.1ZnO薄膜的SEM圖(2)Mg摻雜量對MgxZn1-xO薄膜表面形貌的影響
21對Mg摻雜量不同的MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)進(jìn)行SEM的測試,測試結(jié)果如圖3.2所示。(a)(b)(c)圖3.2MgxZn1-xO薄膜的SEM圖(x=0.18、0.20、0.22)(a)Mg0.18Zn0.82O薄膜(b)Mg0.20Zn0.80O薄膜(c)Mg0.22Zn0.78O薄膜由圖3.1和圖3.2(a)、(b)、(c)可以看出,相比于ZnO薄膜,摻雜Mg之后的MgxZn1-xO薄膜(x=0.18、0.20、0.22)的晶粒分布均勻致密,薄膜表面較為平整。由圖3.2(a)看出,Mg0.18Zn0.82O薄膜的晶粒尺寸范圍在25~50nm左右,薄膜表面是不光滑的。因為Mg2+摻雜量不足,雖然Mg2+占據(jù)了晶格位置,但是有些被Mg2+替代的Zn2+會以團(tuán)簇或者間隙離子的狀態(tài)分布在Mg0.18Zn0.82O薄膜內(nèi),使得薄膜表面是粗糙的。由圖3.2(b)看出,Mg0.20Zn0.80O薄膜的晶粒尺寸范圍在20nm~25nm左右,薄膜晶粒的數(shù)目增多,尺寸減校因為Mg2+摻雜量的增加,Mg2+逐漸替代了Zn2+,Zn2+含量減小而Mg2+含量增加,薄膜中Mg2+的均勻分布,使得薄膜表面平整。由圖3.2(c)看出,Mg0.22Zn0.78O薄膜有晶體析出。說明Mg2+的摻雜量越來越多,
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]脈沖激光沉積法生長的石英基ZnO薄膜特性[J]. 何建廷,魏芹芹,楊淑連,王雅靜. 山東理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2019(04)
[2]襯底溫度對Na-Mg共摻ZnO薄膜光學(xué)性能的影響[J]. 王玉新,劉奇,臧谷丹,崔瀟文,劉子偉,梁鳴. 光電子·激光. 2017(12)
[3]溶膠凝膠工藝制備超親水耐污穢易清潔涂層的研究[J]. 魏美玲,閆法強(qiáng),丁彥霞,郭志軍,王守興,牟善浩. 硅酸鹽通報. 2017(12)
[4]摻雜N的P型ZnO薄膜制備與特性研究[J]. 趙文海. 科技經(jīng)濟(jì)導(dǎo)刊. 2017(25)
[5]原子層沉積生長電學(xué)性質(zhì)可調(diào)ZnO薄膜工藝[J]. 張思敏,程嵩,盧維爾,夏洋. 微納電子技術(shù). 2016(09)
[6]Na/Mg共摻ZnO薄膜的溶膠-凝膠法制備及特性研究[J]. 張彩珍,陳永剛,劉肅,王永順. 半導(dǎo)體技術(shù). 2016(07)
[7]化學(xué)氣相沉積法制備納微ZnO的實驗和模擬研究進(jìn)展[J]. 田會娟,郝斌,徐俊波,田亞峻,溫浩. 材料導(dǎo)報. 2016(01)
[8]射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優(yōu)化[J]. 王怡,李合增,李東臨,郭瑞. 真空. 2015(04)
[9]ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的制備與特性研究[J]. 和曉曉,王文軍,李淑紅,劉云龍,史強(qiáng). 中國激光. 2014(06)
[10]寬帶隙半導(dǎo)體材料光電性能的測試[J]. 郭媛,陳鵬,孟慶芳,于治國,楊國鋒,張榮,鄭有炓. 半導(dǎo)體技術(shù). 2011(11)
碩士論文
[1]溶膠凝膠工藝制備NaMgZnO薄膜及其光學(xué)性能研究[D]. 劉子偉.遼寧師范大學(xué) 2017
[2]超聲噴霧熱解法制備Na-Mg共摻ZnO薄膜及光學(xué)性能的研究[D]. 梁鳴.遼寧師范大學(xué) 2014
[3]Na-Mg共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)研究[D]. 鎖雅芹.蘭州大學(xué) 2010
本文編號:3076605
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