通過理論分析和CrossLight軟件的Lastip模塊模擬,探究了壘層應(yīng)變量、厚度、周期數(shù)對于In GaAs/GaInP/GaAs應(yīng)變補償超晶格結(jié)構(gòu)增益的影響,并以超晶格結(jié)構(gòu)為有源區(qū),討論了閾值電流和斜率效率的變化。選取合適的壘層厚度和組分可以得到最高的增益,并實現(xiàn)對阱層In GaAs的應(yīng)變補償,同時作為有源區(qū)能夠保證較高的斜率效率和較低的閾值電流。利用實驗室的MOCVD設(shè)備進(jìn)行了GaInP和InGaAs材料的生長實驗,探究了襯底偏向角和生長溫度對于GaInP有序度的影響,以及In GaAs材料中In的設(shè)計組分與實際生長組分的差距。此外,分析了半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對于輸出特性的影響,針對980nm半導(dǎo)體激光器,提出了一種“折射率反漸變分布波導(dǎo)層”（RGRIN）,通過探究RGRIN層的組分和厚度對于波導(dǎo)特性的影響,在不減小限制因子的前提下擴展近場光場,改善激光器的遠(yuǎn)場特性,從而得到了低閾值電流、小垂直發(fā)散角的激光器結(jié)構(gòu)。 

【文章來源】：長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：51 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

第一二三類超晶格能帶示意圖

的范圍里都能對量子阱中的電子產(chǎn)生影響，說明超晶格的電子太厚時是普遍存在的，此時的多量子阱應(yīng)該屬于超晶格。研究最多的超晶格主要包括 GaAs/AlAs 超晶格、InAs/GaSb 超物的超晶格較為少見。本文將著重探討三元的 InGaAs/GaInP激光器有源區(qū)時的性能。CVD 外延生長技術(shù)體材料的發(fā)展與外延生長技術(shù)的進(jìn)步是分不開的，從最初的到現(xiàn)在的金屬有機物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）和分子束外延（M半導(dǎo)體材料的操控已經(jīng)達(dá)到了原子層面。以下簡要介紹 MOCVDVD 設(shè)備是一種先進(jìn)而復(fù)雜的晶體生長裝置，通過氣相源之間發(fā)五族化合物并沉積在襯底上形成薄膜。整個系統(tǒng)大體可以分為。

圖 2.1 單量子阱電子受到的一維限制示意圖 yz平面內(nèi)的波函數(shù)，解的形式是單色平面波，()(,)ikykzyzyze zk 分別是電子在 y 方向和z 方向上的波矢量，可以取任意值。在 yz平面內(nèi)不受任何限制，因此有V ( x) 0（方程后有 yzyzekkEm()2222 （得到 yz平面內(nèi)的能量本征值

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：2973233