基于經(jīng)典Chua混沌電路設(shè)計(jì)了一個(gè)五維雙磁控憶阻器混沌電路。對電路非線性特性進(jìn)行數(shù)值分析,表明其具有豐富的混沌動(dòng)力學(xué)行為。采用一階離散處理對電路進(jìn)行數(shù)字化轉(zhuǎn)換,基于DSP Builder和FPGA(Field Programmable Gate Array)技術(shù),通過Cyclone Ⅳ E系列EP4CE10F17C8N芯片搭建的硬件平臺(tái),真實(shí)實(shí)現(xiàn)了該模型數(shù)字化系統(tǒng)。設(shè)計(jì)結(jié)果表明,數(shù)字化憶阻器系統(tǒng)避免了模擬信號(hào)元器件的漂移和不穩(wěn)定性,硬件波形顯示性能穩(wěn)定可靠,且與計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果具有相當(dāng)一致性的吻合。 

【文章來源】：系統(tǒng)仿真學(xué)報(bào). 2020年08期 北大核心

【文章頁數(shù)】：15 頁

【部分圖文】：

2個(gè)磁控憶阻器的i-v特性曲線

基于傳統(tǒng)的三階Chua混沌電路，本文設(shè)計(jì)了一個(gè)新型五階憶阻混沌電路如圖2所示，該電路共由6個(gè)電路元件構(gòu)成：2個(gè)磁控憶阻器、2個(gè)電容、一個(gè)電感和一個(gè)線性電阻。與這6個(gè)電路元件對應(yīng)的狀態(tài)變量分別為：φ1，φ2,v1,v2,iL,R，其中φ1和φ2為所構(gòu)建的2個(gè)磁控憶阻器的內(nèi)部狀態(tài)變量。根據(jù)基爾霍夫定律(KVL及KCL)和歐姆定理分析圖2所示的電路，可以列出5個(gè)聯(lián)立的一階微分方程組：

初始狀態(tài)取值為(0.001,0.01,0,0,0)，利用龍格庫塔算法得到式(7)所描述系統(tǒng)在各相平面產(chǎn)生的投影如圖3所示，系統(tǒng)存在著明顯的混沌雙渦旋吸引子。2.2 混沌特性及其穩(wěn)定性分析

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：2941460