以二硒化錫作為溝道材料,設計并制備基于二硒化錫場效應晶體管的光電探測器.以化學氣相輸運法制備的二硒化錫純度高且結晶度良好,對二硒化錫使用機械剝離法制備出層狀二硒化錫,薄膜的橫向尺寸最大可達25—35μm,最薄厚度僅為1.4 nm,使用圖形轉移法制備基于二硒化錫的場效應晶體管,表面光滑無褶皺,且表現(xiàn)出良好的電學性質,呈現(xiàn)出n型半導體的特征,作為光電探測器對波長分別為405, 532, 650 nm的三基色光表現(xiàn)出明顯的光響應.尤其是對405 nm的藍紫光響應度最高,在光強為5.40 m W/cm²時,響應度達到19.83 AW^–1,外量子效率達到6.07×10³%,探測率達到4.23×10¹⁰ Jones,并且具有快速的響應速度,響應反應時間為23.8 ms.結果表明二硒化錫在可見光光探測器和新一代光電子器件中具有潛在的應用前景. 

【文章來源】：物理學報. 2020年13期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻】：
期刊論文
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