以二硒化錫作為溝道材料,設(shè)計(jì)并制備基于二硒化錫場效應(yīng)晶體管的光電探測器.以化學(xué)氣相輸運(yùn)法制備的二硒化錫純度高且結(jié)晶度良好,對二硒化錫使用機(jī)械剝離法制備出層狀二硒化錫,薄膜的橫向尺寸最大可達(dá)25—35μm,最薄厚度僅為1.4 nm,使用圖形轉(zhuǎn)移法制備基于二硒化錫的場效應(yīng)晶體管,表面光滑無褶皺,且表現(xiàn)出良好的電學(xué)性質(zhì),呈現(xiàn)出n型半導(dǎo)體的特征,作為光電探測器對波長分別為405, 532, 650 nm的三基色光表現(xiàn)出明顯的光響應(yīng).尤其是對405 nm的藍(lán)紫光響應(yīng)度最高,在光強(qiáng)為5.40 m W/cm²時(shí),響應(yīng)度達(dá)到19.83 AW^–1,外量子效率達(dá)到6.07×10³%,探測率達(dá)到4.23×10¹⁰ Jones,并且具有快速的響應(yīng)速度,響應(yīng)反應(yīng)時(shí)間為23.8 ms.結(jié)果表明二硒化錫在可見光光探測器和新一代光電子器件中具有潛在的應(yīng)用前景. 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020年13期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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