本論文主要受到國家杰出青年科學(xué)基金項目:“半導(dǎo)體納米材料制備和量子點光電器件”的支持。量子點具有發(fā)光顏色可調(diào)、熒光效率高、顏色純度好等一系列優(yōu)異的光學(xué)特性,在顯示、照明以及生物成像等領(lǐng)域得到廣泛的研究與應(yīng)用。作為顯示領(lǐng)域的新興技術(shù),量子點電致發(fā)光二極管（QLED）承襲了量子點顏色純度高這一特性,使得三基色QLED的色域遠超過現(xiàn)有高清液晶電視的色域范圍,從而使QLED顯示屏能夠呈現(xiàn)更加光鮮亮麗的色彩效果;此外,QLED還具有自發(fā)光、可視角廣、可彎曲等特點,因此被視為下一代的顯示技術(shù)。經(jīng)過20多年的發(fā)展,QLED的性能已經(jīng)有了很大的提升,正朝著實用化的目標前進。在當(dāng)前性能最佳的QLED中,聚（9-乙烯基咔唑）（PVK）和氧化鋅納米粒子（ZnO Nanoparticles）是普遍應(yīng)用的空穴傳輸層和電子傳輸層,但PVK/ZnO組合也存在不足:（1）對于短波長量子點而言,電荷傳輸層與量子點層之間存在明顯的電荷注入勢壘,限制了電荷的注入效率;（2）ZnO的電子遷移率比PVK的空穴遷移率大三個數(shù)量級,易導(dǎo)致電子更多地運動到量子點中,多余的電子不能和空穴發(fā)生輻射復(fù)合,造成量子點充電和熒光猝滅。所以,本... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 量子點
        1.2.1 量子點分類
        1.2.2 膠體量子點
        1.2.3 核殼量子點
        1.2.4 量子點熒光原理
        1.2.5 量子點熒光特性參數(shù)
        1.2.6 量子點的應(yīng)用
    1.3 量子點電致發(fā)光二極管（QLED）
        1.3.1 QLED的發(fā)展歷程
        1.3.2 QLED的發(fā)光機制
        1.3.3 QLED的電荷傳輸
        1.3.4 QLED的性能特征參數(shù)
    1.4 本論文的主要內(nèi)容
第2章 CdSe基核殼量子點的合成及其電致發(fā)光二極管的制備
    2.1 CdSe基核殼量子點的合成
        2.1.1 量子點的合成原料
        2.1.2 ZnCdS/ZnS藍光量子點的合成方法
        2.1.3 CdSe@ZnS綠光量子點的合成方法
        2.1.4 CdSe/CdS/ZnS紅光量子點的合成方法
        2.1.5 量子點的提純
    2.2 CdSe基核殼量子點的表征
        2.2.1 吸收和發(fā)光光譜
        2.2.2 透射電子顯微鏡（TEM）測試
        2.2.3 X射線衍射（XRD）測試
    2.3 CdSe基核殼量子點電致發(fā)光二極管的制備
        2.3.1 ITO玻璃的清洗
        2.3.2 電荷傳輸層的制備
        2.3.3 量子點層的制備
        2.3.4 電極的制備
    2.4 QLED的測試
        2.4.1 電流-電壓（I-V）特性曲線的測量
        2.4.2 亮度-電壓（L-V）特性曲線的測量
        2.4.3 QLED的電致發(fā)光（EL）光譜
第3章 基于ZnMgO電子傳輸層的高亮藍光QLED
    3.1 引言
    3.2 Mg摻雜ZnO實驗
        3.2.1 合成原料
        3.2.2 ZnO納米粒子的合成方法
        3.2.3 Mg摻雜ZnO納米粒子的合成方法
    3.3 Mg摻雜ZnO納米粒子的表征
        3.3.1 吸收光譜
        3.3.2 TEM測試
        3.3.3 XRD測試
        3.3.4 UPS測試
    3.4 Mg摻雜對ZnO光電特性的影響
        3.4.1 Mg摻雜對ZnO能帶的影響
        3.4.2 Mg摻雜對ZnO電子遷移率的影響
    3.5 ZnMgO納米粒子作為電子傳輸層提高QLED亮度和效率
        3.5.1 實驗
        3.5.2 結(jié)果與討論
    3.6 結(jié)論
第4章 混合有機物空穴傳輸層對QLED性能的影響
    4.1 引言
    4.2 實驗
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 PVK（Poly-TPD） 混合空穴傳輸層對QLED性能的影響
        4.3.2 PVK（CBP） 混合空穴傳輸層對QLED性能的影響
        4.3.3 PVK（TCTA）混合空穴傳輸層對QLED性能的影響
    4.4 結(jié)論
第5章 總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 研究展望
參考文獻
作者簡介及在學(xué)期間所取得的科研成果
致謝



本文編號：2901339