憶阻器是具有記憶特性的非線性元件,還具有功耗低、納米尺寸、速度快、非易失性等特點(diǎn)。由于憶阻器的非線性及記憶性,它的加入使得電路很容易產(chǎn)生混沌,使混沌電路的設(shè)計(jì)更加靈活且可以縮減電路的物理尺寸。憶阻型混沌電路比一般混沌電路更容易產(chǎn)生復(fù)雜的混沌信號(hào),更適合于需要利用混沌的場(chǎng)景�；煦珉娐分须姼性拇嬖谑沟秒娐返聂敯粜圆�,且由于電感所占物理空間大,不利于電路的集成。本文的主要工作是通過理論、數(shù)值、以及電路仿真分析研究憶阻器在混沌電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的應(yīng)用,重點(diǎn)是研究不包含電感元件且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的憶阻型混沌電路。主要研究成果和創(chuàng)新之處如下:(1)為了探索簡(jiǎn)潔型憶阻混沌電路,即包含元器件數(shù)目盡量少且不含電感元件的憶阻型混沌電路,將光滑三次壓控憶阻器和光滑三次磁控憶阻器應(yīng)用于由五個(gè)電路元器件構(gòu)成的正弦振蕩電路中,構(gòu)建了一個(gè)僅含六個(gè)電路元器件的無(wú)感憶阻混沌電路。該電路具有三個(gè)線平衡點(diǎn)集,隨電路參數(shù)和初始值變化的動(dòng)力學(xué)行為豐富,具有共存無(wú)限多個(gè)吸引子的超級(jí)多穩(wěn)態(tài)特性和復(fù)雜的狀態(tài)轉(zhuǎn)移行為。電路的Multisim仿真證實(shí)了理論與數(shù)值仿真的正確性。(2)以強(qiáng)化混沌,生成更為復(fù)雜的吸引子,如多渦卷或多翼混沌吸引子,且... 

【文章來(lái)源】：湘潭大學(xué)湖南省

【文章頁(yè)數(shù)】：69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

四個(gè)基本電路變量之間的關(guān)系

基于蔡氏電路的憶阻型混沌電路[9]。該憶阻電路在 x-y 相平面得到的混沌吸是與原經(jīng)典蔡氏二渦卷相類似的二渦卷混沌吸引子，如圖 2.4(a)所示。在與器內(nèi)部狀態(tài)變量相關(guān)的 x-w 平面上，系統(tǒng)產(chǎn)生的是一個(gè)單渦卷形式的混沌吸，如圖 2.4(b)所示。

一個(gè)基于蔡氏電路的憶阻型混沌電路[9]。該憶阻電路在 x-y 相平面得到的混沌吸引子是與原經(jīng)典蔡氏二渦卷相類似的二渦卷混沌吸引子，如圖 2.4(a)所示。在與憶阻器內(nèi)部狀態(tài)變量相關(guān)的 x-w 平面上，系統(tǒng)產(chǎn)生的是一個(gè)單渦卷形式的混沌吸引子，如圖 2.4(b)所示。圖 2.3 基于蔡氏混沌的憶阻型混沌電路

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于憶阻器的多渦卷混沌系統(tǒng)及其脈沖同步控制[J]. 閆登衛(wèi),王麗丹,段書凱.  物理學(xué)報(bào). 2018(11)
[2]憶阻器、憶容器和憶感器的Simulink建模及其特性分析[J]. 王曉媛,俞軍,王光義.  物理學(xué)報(bào). 2018(09)
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[7]基于一階廣義憶阻器的文氏橋混沌振蕩器研究[J]. 俞清,包伯成,胡豐偉,徐權(quán),陳墨,王將.  物理學(xué)報(bào). 2014(24)
[8]基于文氏振蕩器的憶阻混沌電路[J]. 李志軍,曾以成.  電子與信息學(xué)報(bào). 2014(01)
[9]一類四維多翼混沌系統(tǒng)及其電路實(shí)現(xiàn)[J]. 羅明偉,羅小華,李華青.  物理學(xué)報(bào). 2013(02)
[10]憶阻器阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其在信息存儲(chǔ)中的應(yīng)用[J]. 段書凱,胡小方,王麗丹,李傳東,MAZUMDER Pinaki.  中國(guó)科學(xué):信息科學(xué). 2012(06)

碩士論文
[1]基于混沌理論的微弱信號(hào)檢測(cè)[D]. 崔芹.哈爾濱工程大學(xué) 2008
[2]微弱信號(hào)的混沌檢測(cè)方法[D]. 梁倩.西北工業(yè)大學(xué) 2007



本文編號(hào)：2901338