憶阻器是具有記憶特性的非線性元件,還具有功耗低、納米尺寸、速度快、非易失性等特點。由于憶阻器的非線性及記憶性,它的加入使得電路很容易產生混沌,使混沌電路的設計更加靈活且可以縮減電路的物理尺寸。憶阻型混沌電路比一般混沌電路更容易產生復雜的混沌信號,更適合于需要利用混沌的場景。混沌電路中電感元件的存在使得電路的魯棒性差,且由于電感所占物理空間大,不利于電路的集成。本文的主要工作是通過理論、數值、以及電路仿真分析研究憶阻器在混沌電路設計領域的應用,重點是研究不包含電感元件且電路結構簡單的憶阻型混沌電路。主要研究成果和創(chuàng)新之處如下:(1)為了探索簡潔型憶阻混沌電路,即包含元器件數目盡量少且不含電感元件的憶阻型混沌電路,將光滑三次壓控憶阻器和光滑三次磁控憶阻器應用于由五個電路元器件構成的正弦振蕩電路中,構建了一個僅含六個電路元器件的無感憶阻混沌電路。該電路具有三個線平衡點集,隨電路參數和初始值變化的動力學行為豐富,具有共存無限多個吸引子的超級多穩(wěn)態(tài)特性和復雜的狀態(tài)轉移行為。電路的Multisim仿真證實了理論與數值仿真的正確性。(2)以強化混沌,生成更為復雜的吸引子,如多渦卷或多翼混沌吸引子,且... 

【文章來源】：湘潭大學湖南省

【文章頁數】：69 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

四個基本電路變量之間的關系

基于蔡氏電路的憶阻型混沌電路[9]。該憶阻電路在 x-y 相平面得到的混沌吸是與原經典蔡氏二渦卷相類似的二渦卷混沌吸引子，如圖 2.4(a)所示。在與器內部狀態(tài)變量相關的 x-w 平面上，系統(tǒng)產生的是一個單渦卷形式的混沌吸，如圖 2.4(b)所示。

一個基于蔡氏電路的憶阻型混沌電路[9]。該憶阻電路在 x-y 相平面得到的混沌吸引子是與原經典蔡氏二渦卷相類似的二渦卷混沌吸引子，如圖 2.4(a)所示。在與憶阻器內部狀態(tài)變量相關的 x-w 平面上，系統(tǒng)產生的是一個單渦卷形式的混沌吸引子，如圖 2.4(b)所示。圖 2.3 基于蔡氏混沌的憶阻型混沌電路

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于憶阻器的多渦卷混沌系統(tǒng)及其脈沖同步控制[J]. 閆登衛(wèi),王麗丹,段書凱.  物理學報. 2018(11)
[2]憶阻器、憶容器和憶感器的Simulink建模及其特性分析[J]. 王曉媛,俞軍,王光義.  物理學報. 2018(09)
[3]基于憶阻器的存儲與計算融合理論與實現(xiàn)[J]. 李祎,繆向水.  國防科技. 2016(06)
[4]A novel memristive neural network with hidden attractors and its circuitry implementation[J]. PHAM Viet Thanh,JAFARI Sajad,VAIDYANATHAN Sundarapandian,VOLOS Christos,WANG Xiong.  Science China(Technological Sciences). 2016(03)
[5]Collapse of Synchronization in a Memristive Network[J]. 呂密,王春妮,唐軍,馬軍.  Communications in Theoretical Physics. 2015(12)
[6]基于有源廣義憶阻的無感混沌電路研究[J]. 俞清,包伯成,徐權,陳墨,胡文.  物理學報. 2015(17)
[7]基于一階廣義憶阻器的文氏橋混沌振蕩器研究[J]. 俞清,包伯成,胡豐偉,徐權,陳墨,王將.  物理學報. 2014(24)
[8]基于文氏振蕩器的憶阻混沌電路[J]. 李志軍,曾以成.  電子與信息學報. 2014(01)
[9]一類四維多翼混沌系統(tǒng)及其電路實現(xiàn)[J]. 羅明偉,羅小華,李華青.  物理學報. 2013(02)
[10]憶阻器阻變隨機存取存儲器及其在信息存儲中的應用[J]. 段書凱,胡小方,王麗丹,李傳東,MAZUMDER Pinaki.  中國科學:信息科學. 2012(06)

碩士論文
[1]基于混沌理論的微弱信號檢測[D]. 崔芹.哈爾濱工程大學 2008
[2]微弱信號的混沌檢測方法[D]. 梁倩.西北工業(yè)大學 2007



本文編號：2901338