發(fā)布時(shí)間：2020-12-03 19:43

　　作為功率集成電路中至關(guān)重要的元器件,橫向功率器件一直是相關(guān)從業(yè)人員的研究重點(diǎn)與熱點(diǎn)。而器件的耐壓以及導(dǎo)通性能對(duì)于應(yīng)用于高壓集成電路中是最關(guān)鍵的因素,國(guó)內(nèi)外對(duì)于橫向功率器件的性能優(yōu)化從未停止。并且在器件優(yōu)化的過(guò)程中,橫向功率器件縱向耐壓受限問(wèn)題越來(lái)越凸顯。REBULF理論以及電場(chǎng)調(diào)制技術(shù)等,為功率器件的性能優(yōu)化做出了指導(dǎo)性的思路。本文在此基礎(chǔ)上,并結(jié)合功率器件優(yōu)化過(guò)程,提出橫向功率器件縱向電場(chǎng)調(diào)制理論技術(shù),對(duì)于橫向功率器件縱向電場(chǎng)進(jìn)行針對(duì)性的優(yōu)化。并且在此基礎(chǔ)上提出兩種新型器件結(jié)構(gòu),分別為ADSL LDMOS以及ADSL SJ-LDMOS。對(duì)于橫向功率器件縱向耐壓受限問(wèn)題提出了解決思路。本文具體所做的創(chuàng)新工作包括:（1）通過(guò)分析橫向功率器件體內(nèi)場(chǎng)及縱向電場(chǎng)優(yōu)化思想,并結(jié)合REBULF理論以及電場(chǎng)調(diào)制技術(shù)等,針對(duì)優(yōu)化橫向功率器件縱向電場(chǎng)分布以及解決縱向耐壓?jiǎn)栴},在前述縱向耐壓優(yōu)化理論及結(jié)構(gòu)優(yōu)化的基礎(chǔ)上,提出橫向功率器件縱向電場(chǎng)調(diào)制理論。該理論通過(guò)優(yōu)化橫向功率器件縱向電場(chǎng),充分發(fā)掘器件襯底耐壓能力,緩解了橫向功率器件擊穿電壓飽和現(xiàn)象,在優(yōu)化器件縱向電場(chǎng)分布的同時(shí),對(duì)表面電場(chǎng)也有充分的優(yōu)化作用... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：77 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
符號(hào)對(duì)照表
縮略語(yǔ)對(duì)照表
第一章 緒論
    1.1 功率半導(dǎo)體器件研究的意義與背景
    1.2 橫向功率器件技術(shù)概述
    1.3 LDMOS橫向優(yōu)化技術(shù)
        1.3.1 結(jié)終端技術(shù)簡(jiǎn)介
        1.3.2 RESURF技術(shù)
        1.3.3 橫向變摻雜技術(shù)
        1.3.4 電場(chǎng)調(diào)制技術(shù)
        1.3.5 導(dǎo)通電阻優(yōu)化
        1.3.6 LDMOS橫向優(yōu)化技術(shù)小結(jié)
    1.4 仿真軟件介紹
    1.5 本論文的內(nèi)容及工作安排
第二章 橫向功率器件縱向電場(chǎng)調(diào)制技術(shù)
    2.1 橫向功率器件縱向電場(chǎng)優(yōu)化思想
        2.1.1 橫向功率器件耐壓特性
        2.1.2 縱向電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)
    2.2 橫向功率器件體內(nèi)場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)
        2.2.1 P型埋層體內(nèi)場(chǎng)優(yōu)化
        2.2.2 REBULF技術(shù)
        2.2.3 介質(zhì)層電場(chǎng)增強(qiáng)技術(shù)
    2.3 縱向電場(chǎng)調(diào)制理論
    2.4 本論文的主要?jiǎng)?chuàng)新工作
第三章 具有縱向輔助耗盡襯底層新型LDMOS
    3.1 器件結(jié)構(gòu)及原理
    3.2 器件機(jī)理仿真分析
    3.3 器件結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化
    3.4 器件工藝制備
    3.5 本章小結(jié)
第四章 具有縱向電場(chǎng)調(diào)制的橫向超結(jié)功率器件
    4.1 橫向超結(jié)LDMOS
        4.1.1 超結(jié)功率MOS理論
        4.1.2 橫向超結(jié)LDMOS發(fā)展
        4.1.3 橫向超結(jié)LDMOS耐壓特性
    4.2 具有襯底輔助耗盡層的SJ-LDMOS新結(jié)構(gòu)
        4.2.1 器件結(jié)構(gòu)及原理
        4.2.2 器件機(jī)理仿真分析
        4.2.3 器件結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化
    4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)介


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]具有n+浮空層的體電場(chǎng)降低LDMOS結(jié)構(gòu)耐壓分析[J]. 張波,段寶興,李肇基.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2006(04)
[2]階梯埋氧型SOI結(jié)構(gòu)的耐壓分析[J]. 段寶興,張波,李肇基.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2005(07)
[3]p-n+結(jié)有場(chǎng)板時(shí)表面電場(chǎng)分布的簡(jiǎn)單表示式[J]. 陳星弼.  電子學(xué)報(bào). 1986(01)

博士論文
[1]橫向超結(jié)功率器件的REBULF理論與新技術(shù)[D]. 王文廉.電子科技大學(xué) 2010
[2]橫向高壓DMOS體內(nèi)場(chǎng)優(yōu)化與新結(jié)構(gòu)[D]. 成建兵.電子科技大學(xué) 2009
[3]橫向高壓器件電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng)及新器件研究[D]. 段寶興.電子科技大學(xué) 2007
[4]SOI橫向高壓器件耐壓模型和新器件結(jié)構(gòu)研究[D]. 郭宇鋒.電子科技大學(xué) 2005



本文編號(hào)：2896513