有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFETs）因其低成本、高柔韌性、易于大面積制備等優(yōu)良特性,受到越來越多的關(guān)注。作為電子器件的重要組成部分,其可以應(yīng)用于傳感器、存儲器、顯示器以及集成電路等方面。并五苯薄膜呈現(xiàn)出類金子塔結(jié)構(gòu),有效的增大了薄膜的表面積,增加了光的吸收,從而增大了短路電流和光電效率。由于并苯化合物的禁帶寬度隨著芳環(huán)數(shù)目的增加而降低,因而有很強(qiáng)的電荷注入能力,表現(xiàn)出很高的載流子遷移率。它擁有有機(jī)材料中最高的載流子遷移率,最高可達(dá)到2 cm2/Vs,這一數(shù)值甚至可以與氫化后的無定型硅相媲美,因此可以作為有機(jī)場效應(yīng)管中的溝道材料。新報道的一種新型的扭曲六苯并蔻（c-HBC）,是以并五苯為基本骨架合成的非平面的稠環(huán)芳烴。其芳香核心由于其周圍的空間擁擠而偏離平面性,非平面型π電子體系有著獨特的優(yōu)點,其凹凸面分子結(jié)構(gòu)對于其他非平面分子具有很好的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)性,特別是對于球形富勒烯類的分子。此外,結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的分子之間具有很強(qiáng)的分子間π-π相互作用,形成類似球窩接頭型分子復(fù)合,所得到的聚集態(tài)的能量較低,更加穩(wěn)定。通過X射線晶體學(xué)的結(jié)構(gòu)研究顯示這些HBC分子堆疊成固態(tài)的柱狀結(jié)構(gòu),這非常有利于傳導(dǎo)�；谶@些優(yōu)點,... 

【文章來源】：上海師范大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１多苯類化合物??

?６?７??圖１．１多苯類化合物??１．２．２氧族稠雜環(huán)化合物??氧族雜環(huán)化合物主要包括：呋喃、噻吩、硒吩和碲吩。以噻吩環(huán)為結(jié)構(gòu)單元??的分子材料己經(jīng)成為有機(jī)半導(dǎo)體研究領(lǐng)域當(dāng)中的重要部分，其中的ＢＴＢＴ類衍生??物的場效應(yīng)遷移率達(dá)到４３?是目前報道的有機(jī)半導(dǎo)體材料的最高值Ｉ２１１。??這也使得氧族雜環(huán)化合物的研宄成為熱點。??與苯環(huán)相似，嗤吩環(huán)也是研宄較為廣泛的芳香環(huán)。與苯環(huán)相比，噻吩環(huán)具有??更大的電子云密度（由于硫原子的存在），更有利于空穴的注入。噻吩作為結(jié)構(gòu)??單元構(gòu)成的有機(jī)半導(dǎo)體材料己經(jīng)非常多的出現(xiàn)在研究報道中［２２］。??如圖１．２所示，并五噻吩（８）的薄膜器件場效應(yīng)遷移率為化０．０４５?ｃｎ＾Ｖ＾Ｓ—１??并六噻吩（９）為０．０６?ｃｍＷ，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于相應(yīng)的并苯類材料，但這類材料具有??很好的氧化穩(wěn)定性，甚至可以表現(xiàn)出陽離子態(tài)｜２３；２４］。〇１１等［２５］報道了化合物１０??其薄膜遷移率為〇．５Ｃｍ２ｖｄＳ人進(jìn)一步擴(kuò)展其７１—共軛體系，得到化合物ＩＩ，其??單晶遷移率為０．５?ｃｍ２Ｖ＾１｜２６］�；衔铮保彩腔衔铮保暗耐之悩�(gòu)體

?第一章緒論??化合物１３－１５是一系列地含有并三噻吩的化合物，如圖１．３。其中，化合物??１３其單晶遷移率為１．８?ｃｍＶＹ１２７１薄膜遷移率為０．５?ｃｍＷｌ［２８］�；衔铮保礊�??化合物１３的同分異構(gòu)體，Ｈｕ等＝９］對其進(jìn)行了系統(tǒng)的研究對比，化合物１４的薄??膜器件性能為１０ｘ１０－５?ｃｎ＾Ｖ＾Ｓ＇單晶器件性能為０．６?ｃｎ＾Ｖ＾Ｓ＇都遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于化??合物１３�；衔铩剑档膯尉骷w移率為Ｏ．ｌｃｎ＾ＶｄｓＷＭ。由此可見，具有并三??噻吩結(jié)構(gòu)的稠環(huán)化合物具有較高的遷移率，但并未達(dá)到并苯類材料的水平。??化合物１６－２１是一系列地含有并二唾吩的化合物。其中，化合物１６，其薄膜??遷移率為２．９〇１１２７兮１［３１］，單晶遷移率達(dá)到１０（：１１１２７１５＿｜［３２］；化合物１７，其性能??單晶器件性能最高達(dá)到１６ｃｍ２Ｖ＾Ｓ＿１［３３］。最近，卩３也等［３４］報道了化合物１８，其薄??膜晶體營遷移率達(dá)到１９．３?Ｃｍ２ＶｄＳ＇是其相似化合物１６的６倍，并且具有高的??穩(wěn)定性。Ｔａｋｉｍｉｙａ組［３５］報道了化合物１９和２０的薄膜器件


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