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小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的制備及其光電性能研究

發(fā)布時(shí)間:2017-03-29 23:02

  本文關(guān)鍵詞:小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的制備及其光電性能研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:近幾年,小分子半導(dǎo)體納米材料由于其不同于無(wú)機(jī)和高分子半導(dǎo)體材料的特殊的光電性能引起了廣泛的關(guān)注和研究。小分子種類繁多溶液化、低成本、可規(guī);庸さ闹苽溥^(guò)程使得其成為構(gòu)筑有機(jī)電子器件的理想材料。小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的光電性能與其形貌和尺寸密切聯(lián)系著。然而,制備形貌、尺寸可控的小分子納米結(jié)構(gòu)仍是個(gè)挑戰(zhàn),對(duì)它們的光電性能研究也處于起步階段。因此,對(duì)小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的可控制備及其光電性能的研究具有重要意義。本文對(duì)幾種小分子半導(dǎo)體材料納米結(jié)構(gòu)的制備及其光電性能做了一些研究。1.利用溶劑揮發(fā)制備了超長(zhǎng)、尺寸均一的NiOEP納米線;诩{米線薄膜器件顯示了優(yōu)異的光探測(cè)器性能,最大開(kāi)關(guān)比和光響應(yīng)度分別可達(dá)681和10.1 mA·W~(-1)。2.利用溶劑交換法制備了大尺寸、表面光滑的BPEA納米片;诖思{米片的器件顯示了優(yōu)異的光響應(yīng)性能,最大的開(kāi)關(guān)比分別可達(dá)105。此外,納米片還顯示了明顯的光發(fā)射各向異性。3.利用溶劑交換法制備了ADPI納米線。納米線表現(xiàn)出優(yōu)越的光波導(dǎo)性能,光傳導(dǎo)損失為0.1 dB·μm~(-1)。納米線顯示了較好的光發(fā)射各向異性。4.利用溶劑揮發(fā)法,通過(guò)調(diào)節(jié)混合溶劑組合,制備了PdOEP微米線和微米塊。微米線器件顯示出了明顯的光響應(yīng)性能和穩(wěn)定性。對(duì)比得出,基于微米線的器件顯示了更優(yōu)越的光響應(yīng)性能。
【關(guān)鍵詞】:小分子 溶液法 光電導(dǎo) 光電晶體管 光發(fā)射各向異性 光波導(dǎo)
【學(xué)位授予單位】:長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN304;TB383.1
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-7
  • 第一章 緒論7-21
  • 1.1 小分子半導(dǎo)體材料概述7
  • 1.2 小分子納米結(jié)構(gòu)的主要溶液制備方法7-14
  • 1.3 小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的主要光電性能14-19
  • 1.4 論文研究?jī)?nèi)容19-21
  • 第二章 NiOEP納米線的制備及其光電性能的研究21-29
  • 2.1 引言21
  • 2.2 實(shí)驗(yàn)部分21-23
  • 2.3 結(jié)果與討論23-28
  • 2.4 本章小結(jié)28-29
  • 第三章 BPEA納米片的制備及其光響應(yīng)性能、光發(fā)射各向異性研究29-38
  • 3.1 引言29
  • 3.2 實(shí)驗(yàn)部分29-31
  • 3.3 結(jié)果與討論31-36
  • 3.4 本章小結(jié)36-38
  • 第四章 ADPI納米線的制備及其光波導(dǎo)、光發(fā)射各向異性研究38-44
  • 4.1 引言38
  • 4.2 實(shí)驗(yàn)部分38-39
  • 4.3 結(jié)果與討論39-43
  • 4.4 本章小結(jié)43-44
  • 第五章 PdOEP微米結(jié)構(gòu)制備及其光電性能研究44-48
  • 5.1 引言44
  • 5.2 實(shí)驗(yàn)部分44-45
  • 5.3 結(jié)果與討論45-47
  • 5.4 本章小結(jié)47-48
  • 結(jié)論48-49
  • 致謝49-50
  • 參考文獻(xiàn)50-54
  • 附錄54

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 鄭巧榮;閃鋅礦的光電導(dǎo)現(xiàn)象及對(duì)電子探針?lè)治鼍鹊挠绊慬J];巖礦測(cè)試;1986年02期

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3 張同意,曹俊誠(chéng);大孔徑光電導(dǎo)天線產(chǎn)生的太赫茲脈沖時(shí)間特性研究[J];稀有金屬;2004年03期

4 靳輝,滕楓,劉俊峰,孟憲國(guó),徐征,侯延冰,徐敘tb;有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合結(jié)構(gòu)光電導(dǎo)型器件的光激發(fā)機(jī)制[J];光譜學(xué)與光譜分析;2004年08期

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7 馬玉蓉,李清山;輝光放電a-SiN_x:H薄膜光電導(dǎo)特性的研究[J];硅酸鹽學(xué)報(bào);1989年05期

8 ;工人階級(jí)占領(lǐng)科研陣地的光輝成就——MGB—I 型光電導(dǎo)通表制造成功[J];煤礦安全;1970年01期

9 馬玉蓉,李清山;退火對(duì)GD a-SiN_x∶H材料光電導(dǎo)的影響[J];無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào);1991年01期

10 程寧,崔一平,盛政明,鐘Z,

本文編號(hào):275610


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