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靶材高純鋁和5083鋁合金電子束焊接工藝及接頭性能研究

發(fā)布時間:2020-06-26 23:26
【摘要】:高純鋁是指純度達(dá)到99.8%以上的純鋁制品,本文使用的母材一是高純鋁(純度為99.999%)添加了0.5%銅的合金,母材二是5083鋁合金。本文研究了高純度Al0.5%Cu與5083鋁合金的焊接接頭在不同工藝下的成形規(guī)律、力學(xué)性能、組織分析以及成分演化等,對電子束焊接接頭在濺射靶材中的應(yīng)用進(jìn)行了研究并提出了改善措施。Al0.5%Cu-5083電子束焊接接頭焊縫均勻,熔寬為2mm,熔深達(dá)到20mm。具有較大的深寬比,焊縫截面呈釘子狀形貌,焊接結(jié)合良好。焊縫與Al0.5%Cu的熱影響區(qū)存在明顯分界線,這種無過渡區(qū)的接頭組織通常結(jié)合性能較弱,斷裂也易發(fā)生在該區(qū)域。5083母材與焊縫之間的過渡區(qū)界面質(zhì)量良好。焊接接頭的平均硬度為60HV,母材Al0.5%Cu平均硬度為33HV,母材5083平均硬度為83HV。接頭硬度介于母材Al0.5%Cu和5083之間,服役硬度要求高于高純鋁母材Al0.5%Cu材料,實際硬度滿足靶材的使用性能要求。接頭的抗拉強度要求高于50MPa,實際抗拉強度達(dá)到70MPa,滿足服役要求。斷裂位置位于焊接接頭,在Al0.5%Cu側(cè)的熔合區(qū)。母材Al0.5%Cu的晶粒大小為50-60μm,母材5083晶粒大小為75-90μm,而熔池焊縫區(qū)頂部的晶粒大小為40-50μm,接頭晶粒細(xì)化且明顯小于母材晶粒。由于束流在厚度的方向上發(fā)生衰減,所獲接頭焊縫中心處的組織在熔池頂部和底部表現(xiàn)出不一致。母材中的合金元素因為熔化對流,焊縫區(qū)各元素含量均介于Al0.5%Cu和5083鋁合金成分之間。Cu元素的在熔池頂部的對流較底部更為強烈,Mg元素在熔池頂部燒損最為嚴(yán)重,含量較低的元素變化趨勢不明顯。將焊接接頭按濺射靶材的制作要求進(jìn)行電子束焊接,發(fā)現(xiàn)在收束處存在釘尖缺陷,導(dǎo)致氦泄漏檢測合格率偏低,僅有70%。用偏轉(zhuǎn)收束角度的工藝進(jìn)行缺陷的控制,雖有改善,仍不符合靶材制造要求;用偏移收束位置的工藝進(jìn)行改善,效果良好,焊接接頭均能滿足靶材制造的要求。
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TG457.14;TN43
【圖文】:

濺射靶材,半導(dǎo)體芯片,加工鏈,配線


圖 1-1 半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品加工產(chǎn)業(yè)鏈濺射靶材是在半導(dǎo)體芯片加工鏈中重要的耗材之一,是芯片內(nèi)的配線材純金屬經(jīng)過塑性變形,管控金屬內(nèi)晶粒和晶向達(dá)到濺射要求,通過物理氣積濺射到基底硅片上,濺射后的鍍層對于導(dǎo)電性、膜厚度的均勻性、疲勞、電遷移性能都有嚴(yán)格要求。濺射靶材是形成超大集成電路芯片的內(nèi)數(shù)萬的金屬配線的基礎(chǔ),涉及多種材料和工藝,特別是未來電子元器件往更小,高效化,集成化的趨勢發(fā)展,電子薄膜的要求也越來越高,對于形成薄濺射靶材要求也越來越高。靶材的符合性和適用性關(guān)系芯片的質(zhì)量和行業(yè)展。但是長期起來,半導(dǎo)體等高端制造業(yè)設(shè)計和生產(chǎn),一直被美國、日本公斷,目前能生產(chǎn)半導(dǎo)體用濺射靶材的只有這兩個國家的公司,我國半導(dǎo)體業(yè)所需靶材,嚴(yán)重依賴進(jìn)口。隨著中美貿(mào)易摩擦加劇,美國對中國的高端限制已經(jīng)越來越明顯,半導(dǎo)體芯片行業(yè)更要加大發(fā)展力度,并且要自主研加強創(chuàng)新,才能在西方各國圍剿的情況下,異軍突起,打破壟斷,為中國治久安奠定基礎(chǔ)。

示意圖,電子束焊接,原理,示意圖


需要進(jìn)行控制。電子束焊接是一種高能束流焊接方式,屬于高能束流,焊接工作原理如圖1-2 所示。電子束焊接時加熱功率大,電子束功率在幾百千瓦,但是斑點卻非常小,因此所有能量聚焦到斑點處是,斑點處的功率密度非常大,是其他電弧焊的幾百倍;電子束焊接利用先進(jìn)的軟件及編程技術(shù),可以做到精準(zhǔn)快速的焊接,這些優(yōu)點是目前其它焊接方式所不能比擬的,例如激光焊接利用透鏡和反射鏡

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本文編號:2731038

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