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熱活化延遲熒光器件中激發(fā)態(tài)的演化和能量轉(zhuǎn)移過程

發(fā)布時間:2020-06-01 06:53
【摘要】:有機發(fā)光二極管(OLED)因其具有制備簡單、價格低廉、節(jié)能環(huán)保、超薄和柔性可折疊等優(yōu)勢,正逐步走進人們的日常生活。普通熒光OLED只有25%的電子-空穴對能復合成單重態(tài)激子退激發(fā)光,剩下75%的三重態(tài)激子只能以非輻射退激的形式把能量耗散掉,其內(nèi)量子效率被限制在25%以內(nèi)。磷光OLED器件依托貴重金屬銥、鉑等金屬配合物的強自旋-軌道耦合作用使單重態(tài)激子和三重態(tài)激子都能被利用,盡管內(nèi)量子效率在理論上可以高達100%,但因涉及貴金屬造價昂貴、污染環(huán)境以及在大電流下效率滾降等缺點制約了其市場化進程。近來發(fā)現(xiàn)的熱活化延遲熒光(TADF)有機器件不依賴于貴重金屬其內(nèi)量子效率也可高達100%,其發(fā)光效率是普通熒光器件的幾倍。TADF材料的設計主要由兩部分基團組成,一部分是電子給體,另一部分是電子受體,這兩部分基團拼接成一個分子,在分子內(nèi)相互獨立,可形成分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(CT)。TADF材料的最高被占有分子軌道(HOMO)能級和最低未被占有分子軌道(LUMO)能級電子云將實現(xiàn)分離,形成的單重激發(fā)態(tài)(~1CT)和三重激發(fā)態(tài)(~3CT)的能級能量差(ΔE_(ST))很小,~3CT將有機會靠吸收環(huán)境熱量通過反向系間竄越(RISC)過程上轉(zhuǎn)換為~1CT退激發(fā)光,從而提高器件的發(fā)光效率。目前對TADF材料和器件的研究還處在起步階段,TADF理論也還只是一個大框架,還存在許多問題亟待解決。本文利用有機器件的電致發(fā)光磁效應(MEL)和磁電導效應(MC),測量了主客體摻雜型TADF器件的MEL和MC特征曲線。通過對TADF器件MEL和MC的分析,得出TADF器件中所存在的自旋相互作用過程,主體材料和客體材料之間能量的傳遞方式和過程,以及有機材料中的電荷陷阱對TADF器件載流子和激發(fā)態(tài)的影響。其主要內(nèi)容有以下五個章節(jié):第一章先介紹了OLED器件的發(fā)展,在生活中的應用,以及它的基本原理。緊接著介紹了熱活化延遲熒光(TADF)器件的基本原理及其有待解決的一些問題。隨后介紹了有機發(fā)光器件的電致發(fā)光磁效應和磁電導效應原理和應用。最后描述了本論文的主要工作和意義,利用MEL和MC研究TADF器件中的自旋相互作用過程以及主客體之間激發(fā)態(tài)能量的傳遞過程和方式。第二章首先介紹了OLED器件以及TADF器件的制備方法和需要注意的事項,我們主要采用旋涂和蒸鍍沉積的方法。隨后介紹了TADF器件的光-電-磁性質(zhì)的測試,測試包含在不同電流電壓下和不同環(huán)境溫度下進行。第三章主要是選取4CzTPN-Ph、2CzPN、PIC-TRZ2三種高效的TADF材料作為摻雜客體制備相應的TADF器件。利用MEL研究發(fā)現(xiàn),TADF器件的MEL在室溫下表現(xiàn)出與普通激子型Alq3熒光器件相似的線型,即都是在低場(40 mT)快速上升,隨后在高場(40 mT)逐漸趨于飽和。這是因為在TADF器件中,存在著極化子對間的系間竄越(ISC)過程和電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(CT)之間的反向系間竄越(RISC)過程相互競爭,主客體摻雜型TADF器件的極化子數(shù)目遠多于CT態(tài)數(shù)目,所以表現(xiàn)出極化子對間的ISC過程特征。其次,TADF器件的磁效應會隨著注入電流的增大而變強,這與普通熒光器件的結果截然相反。三重態(tài)極化子對轉(zhuǎn)化為三重態(tài)激子的速率k_t與單重態(tài)極化子對轉(zhuǎn)化為單重態(tài)激子的速率k_s是影響這一過程的重要參數(shù)。另外,在低溫下,Alq3器件的MEL表現(xiàn)出明顯的TTA過程特征,而TADF器件單、三激發(fā)態(tài)能量接近,不具備TTA過程發(fā)生條件,而且低溫下RISC過程受抑制,所以TADF器件表現(xiàn)出更強的ISC過程特征。第四章主要是利用不同摻雜濃度的TADF器件的MEL研究了器件中主客體之間能量的傳遞過程。當TADF材料濃度較低時,器件主客體之間以FRET方式為主,這將導致主體材料中三重態(tài)激子的利用率受到限制。同時,客體材料中的RISC過程在大電流密度下由于CT態(tài)的解離率升高而減弱。當在高摻雜濃度下,主客體之間的能量傳遞以DET方式為主。盡管RISC過程能夠增大三重態(tài)的利用率,提高器件的發(fā)光效率,但是高的摻雜濃度將導致單重激發(fā)態(tài)的淬滅,反而使TADF器件的發(fā)光效率降低。因此,對于TADF作客體摻雜材料體系的TADF器件存在摻雜濃度和RISC過程相互制約的不足。第五章主要是利用TADF器件的MC研究了有機材料中電荷陷阱對TADF器件載流子和激發(fā)態(tài)的影響。研究發(fā)現(xiàn),當TADF器件中包含電荷陷阱束縛的極化子和激子,MC在室溫小電流密度下滿足洛倫茲方程,表現(xiàn)出ISC特性。隨著電流密度的增加,MC在10~40 mT范圍內(nèi)出現(xiàn)衰減,通過洛倫茲函數(shù)擬合,表明衰減來至于三重態(tài)-陷阱束縛的極化子之間的相互作用(TP_tI)。當溫度降到200 K,以前的衰減逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋平臺,這是由于陷阱束縛的三重態(tài)激子與極化子的相互作用(T_tPI)和TP_tI共同作用的結果。而且MC在低溫時,在超精細范圍內(nèi)表現(xiàn)出正負轉(zhuǎn)變,這表明TADF器件在低溫下表現(xiàn)出了ISC和RISC的相互轉(zhuǎn)變,這些結果揭示了TADF器件中ISC,RISC,TP_tI和T_tPI過程。
【圖文】:

曲面顯示


當今各種視覺顯示設備已經(jīng)廣泛應用到各行各業(yè)以及我們的日常生活中視、電腦、廣告屏、手機等,手機更是幾乎人手一個,寸步不離。隨著社展,,人們對視覺顯示設備的要求也越來越高,如需要輕薄,省電,柔和,高等特點。傳統(tǒng)的陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)、液晶顯示器(Lrystal Display, LCD)和現(xiàn)在主流的無機發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, L平面顯示器已經(jīng)不能滿足人們的需求。有機發(fā)光二極管(Organic light emode, OLED)因其具有制備簡單、節(jié)能環(huán)保、價格低廉、柔性可折疊、視角彩絢麗和超薄等諸多優(yōu)勢,正在逐漸走進人們的日常生活[1]。OLED 的研究在電視、電腦、手機、車載顯示等視覺顯示方面得到快速發(fā)展,而且在固方面也受到日益重視。如圖 1.1 所示為 OLED 曲面顯示屏和 OLED 照明面光LED 被普遍認為是取代 LCD 和 LED 顯示屏的下一代新型顯示技術。OLED示技術,可直流驅(qū)動,沒有頻閃現(xiàn)象,光源柔和,是一種理想的健康護眼光別適合制備顯示設備和室內(nèi)的大面積照明光源[2]。因此,研究和開發(fā) OLE顯示技術,對提高人們的生活質(zhì)量和節(jié)能減排等都具有重要的意義。

器件結構


西南大學碩士學位論文電子和空穴在有機發(fā)光層中相遇,在庫倫力的作用下,首先是形成電子-空穴距離相對較遠的極化子對(Polaron-pair, PP)。隨著電子-空穴距離進一步靠近,極化子對進一步演化為激子(Exciton)[5]。由于電子和空穴具有自旋秉性,形成的極化子對或激子有兩種不同組態(tài),既單重態(tài)(S)和三重態(tài)(T+, T0, T-)如圖 1.2(c)所示。根據(jù)自旋角動量守恒,只有單重態(tài)激子能夠直接退激發(fā)光回到基態(tài)(S0),三重態(tài)激子由于自旋禁阻只能以非輻射形式將能量耗散掉。由統(tǒng)計原則可知,形成單重態(tài)和三重態(tài)激子的比例為 1:3,既注入的電子和空穴只有最多 25%能夠轉(zhuǎn)化為光能[6]。這限制了 OLED 器件的內(nèi)量子效率最大為 25%,同時也限制了 OLED 器件進入市場化的腳步。
【學位授予單位】:西南大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TN383.1

【參考文獻】

相關期刊論文 前3條

1 袁德;陳平;張巧明;賈偉堯;陳歷相;陳秋松;鄒越;熊祖洪;;激子態(tài)和電荷轉(zhuǎn)移態(tài)共存的聚合物發(fā)光器件中單重態(tài)與三重態(tài)之間的自旋混合過程[J];科學通報;2015年32期

2 李晨森;任忠杰;閆壽科;;熱活性延遲熒光材料的設計合成及其在有機發(fā)光二極管上的應用[J];科學通報;2015年31期

3 向杰;令勇洲;陳穎冰;張巧明;熊祖洪;;器件結構對激基復合物發(fā)光磁效應的影響[J];中國科學:物理學 力學 天文學;2015年04期



本文編號:2691110

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