發(fā)布時(shí)間：2020-02-08 04:01

【摘要】：目前,薄膜晶體管(Thin Film Transistor-TFT)的快速發(fā)展促進(jìn)了電子信息產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,其中,金屬氧化物半導(dǎo)體器件因其優(yōu)良的電學(xué)性質(zhì)以及在顯示和柔性電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用發(fā)展迅速。然而,金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管主要集中在n型半導(dǎo)體器件上,比如,非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)TFTs和鋅錫氧化物(ZTO) TFTs,之后很少一部分p型金屬氧化物半導(dǎo)體材料被報(bào)道過(guò)應(yīng)用在薄膜晶體管中,而且它們僅限于作為簡(jiǎn)單的涂層應(yīng)用于電子工業(yè)發(fā)展中。隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的日益發(fā)展,p型金屬氧化物薄膜晶體管的滯后發(fā)展制約了p-n結(jié)器件、透明電子器件以及柔性顯示屏等領(lǐng)域的發(fā)展。最近幾年,氧化亞錫(SnO)材料受到了人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。SnO具有較高的空穴遷移率μ,被認(rèn)為是制造優(yōu)良p型TFTs的材料之一。本論文中p型SnO部分主要研究了如何制備高性能的p型SnO TFTs,主要工作及成果如下：(1)使用射頻磁控反應(yīng)濺射方法成功制備出高性能的p型SnO薄膜。(2)利用X射線(xiàn)衍射(XRD)研究了退火處理和射頻濺射功率對(duì)SnO薄膜的影響,發(fā)現(xiàn)真空400℃退火1小時(shí)之后,SnO薄膜的結(jié)晶性明顯提高。(3)研究了選擇不同金屬電極以及制備薄膜晶體管中Shadow Mask處理對(duì)p型SnO薄膜晶體管電學(xué)性質(zhì)的影響。(4)研究了不同溝道層厚度對(duì)p型SnO薄膜晶體管電學(xué)性質(zhì)的影響。
【學(xué)位授予單位】：山東大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：2577405