【摘要】：針對傳統(tǒng)微通道板氫還原過程中微通道板器件的電阻和增益相互制約的矛盾,本文設(shè)計并制備出一種基于薄膜打拿極的微通道板。本文選取了AZO(ZnO和Al_2O_3的復合薄膜)做為薄膜打拿極的導電層材料,SiO_2做為薄膜打拿極的發(fā)射層材料,設(shè)計了打拿極導電層的厚度是250μm,而發(fā)射層得厚度為5nm,根據(jù)理論分析,模擬了微通道板電子增益函數(shù),通過實驗研究提出了以原子層沉積技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜打拿極微通道板的工藝制備方案,制備了薄膜打拿極微通道板器件,測試了器件的電阻和電子增益。微通道板器件的電阻隨器件兩端加載電壓的增加而非線性減小,當加載電壓為800V時微通道板電阻為110MΩ,器件增益達到300。
[Abstract]:In view of the contradiction between resistance and gain of microchannel plate devices in the process of hydrogen reduction of traditional microchannel plate, a microchannel plate based on thin film beating electrode is designed and fabricated in this paper. In this paper, the composite film of AZO (ZnO and Al_2O_3 is selected as the conductive layer material of thin film beating electrode, and SiO_2 is used as the emission layer material of thin film beating electrode. The thickness of the conductive layer of the beating electrode is 250 渭 m, and the thickness of the emission layer is 5 nm. According to the theoretical analysis, the electron gain function of the microchannel plate is simulated, and the fabrication scheme of the microchannel plate based on the atomic layer deposition technology is proposed, and the device of the microchannel plate is fabricated. The resistance and electronic gain of the device are measured. The resistance of microchannel plate device decreases with the increase of loading voltage at both ends of the device. When the loading voltage is 800V, the resistance of microchannel plate device is 110m 惟, and the gain of microchannel plate device is 300.
【學位授予單位】：長春理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN103

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本文編號：2495024