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多晶硅的高重頻皮秒脈沖激光損傷研究

發(fā)布時(shí)間:2019-04-16 11:21
【摘要】:文章進(jìn)行了高重頻皮秒激光輻照多晶硅的損傷實(shí)驗(yàn)研究,分析了多晶硅材料激光輻照區(qū)域的損傷形貌,探究了多晶硅的多脈沖損傷損傷機(jī)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:多晶硅的損傷形貌主要分為熱熔區(qū)、熱影響區(qū)及激光無作用區(qū)三個(gè)區(qū)域。多晶硅的多脈沖損傷機(jī)制主要是熱積累和微缺陷積累。
[Abstract]:The damage experiment of polysilicon irradiated by high-frequency picosecond laser is carried out. The damage morphology of polysilicon in laser-irradiated region is analyzed and the mechanism of multi-pulse damage of polysilicon is discussed. The experimental results show that the damage morphology of polysilicon is mainly divided into three regions: hot-melt zone, heat-affected zone and laser-free zone. The multi-pulse damage mechanism of polysilicon is mainly thermal accumulation and micro-defect accumulation.
【作者單位】: 長春理工大學(xué);
【分類號(hào)】:TN249;TN304.12

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10 孫e,

本文編號(hào):2458733


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