【摘要】：選用SF6/O2混合氣體對等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)法制備的碳化硅(Si C)薄膜進行了淺槽刻蝕,并通過正交試驗設(shè)計方法,研究了感應(yīng)耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)中反應(yīng)室壓強、偏壓射頻(BRF)功率、O2比例三個工藝參數(shù)對碳化硅薄膜刻蝕速率的影響及其顯著性。實驗結(jié)果表明:BRF功率對于刻蝕速率的影響具有高度顯著性,各因素對刻蝕速率的影響程度依次為BRF功率反應(yīng)室壓強O2比例,并討論了所選因素對碳化硅薄膜刻蝕速率的影響機理。
[Abstract]:The silicon carbide (Si C) thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) were etched in shallow grooves with SF6/O2 mixture gas and the orthogonal design method was used. The effects of reaction chamber pressure, bias RF (BRF) power and O2 ratio on etching rate of sic thin films in inductively coupled plasma (ICP) etching were studied. The experimental results show that the influence of BRF power on the etching rate is highly significant, and the degree of influence of each factor on the etching rate is in turn the ratio of BRF power reaction chamber pressure O _ 2 to O _ 2. The influence mechanism of the selected factors on the etching rate of sic thin films was also discussed.
【作者單位】： 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室;中北大學(xué)電子測試技術(shù)國防科技重點實驗室;
【基金】：國家杰出青年科學(xué)基金資助項目(51425505)
【分類號】：TN305.7

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本文編號：2456055