【摘要】：針對(duì)常規(guī)納米尺度電子元器件的噪聲特性,研究其噪聲的基本測(cè)試條件,并建立測(cè)試系統(tǒng)。在屏蔽條件下采用低溫裝置和超低噪聲前置放大器,能有效抑制外界干擾。應(yīng)用該系統(tǒng)對(duì)實(shí)際納米MOSFET器件進(jìn)行噪聲測(cè)試得到其電流噪聲,在測(cè)試基礎(chǔ)上通過(guò)計(jì)算分別得到熱噪聲和散粒噪聲,同時(shí)分析器件工作在亞閾區(qū)和反型區(qū)下的電流噪聲隨源漏電壓和電流的變化關(guān)系。結(jié)果表明測(cè)試結(jié)果與理論分析吻合,驗(yàn)證了測(cè)試系統(tǒng)的準(zhǔn)確性。
[Abstract]:According to the noise characteristics of conventional nano-scale electronic components, the basic test conditions of their noise are studied, and a testing system is established. Using low temperature device and ultra low noise preamplifier under shielding condition can effectively suppress external interference. The current noise is obtained by using the system to measure the noise of the actual nanometer MOSFET device. The thermal noise and the shot noise are obtained by calculation on the basis of the test. At the same time, the relationship between current noise and source drain voltage and current is analyzed. The results show that the test results agree with the theoretical analysis and verify the accuracy of the test system.
【作者單位】： 安康學(xué)院電子與信息工程學(xué)院;中國(guó)西南電子技術(shù)研究所;西安電子科技大學(xué)先進(jìn)材料與納米科技學(xué)院;
【分類(lèi)號(hào)】：TN407

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