發(fā)布時(shí)間：2018-11-28 15:24

【摘要】：提出了一種基于分離變量法的極紫外光刻三維掩模衍射譜快速仿真方法,在保證一定仿真精度的前提下提高了仿真速度。該方法將三維掩模分解為2個(gè)相互垂直的二維掩模,對2個(gè)二維掩模采用嚴(yán)格電磁場方法進(jìn)行衍射譜仿真并將結(jié)果相乘以重構(gòu)成三維衍射譜。以6°主入射角、45°線偏振光照明及22nm三維方形接觸孔掩模為例,在入射光方位角0°~90°變化范圍內(nèi),相同仿真參數(shù)下,該方法的仿真結(jié)果與商用光刻仿真軟件Dr.LiTHO的嚴(yán)格仿真結(jié)果相比,圖形特征尺寸誤差小于0.21nm,仿真速度提高約65倍。在上述參數(shù)下,該方法與Dr.LiTHO的域分解方法及基于掩模結(jié)構(gòu)分解法等快速方法相比,仿真精度和速度均提高1倍以上。該模型無需參數(shù)標(biāo)定,適用于矩形圖形的三維掩�？焖俜抡�。
[Abstract]:A fast simulation method for 3D mask diffraction spectrum of extreme ultraviolet lithography based on the method of separating variables is proposed. The simulation speed is improved on the premise of ensuring certain simulation accuracy. In this method, the 3D mask is decomposed into two two-dimensional masks which are perpendicular to each other. The diffraction spectra of the two masks are simulated by the strict electromagnetic field method and the results are multiplied to form the three-dimensional diffraction spectra. Taking 6 擄main incident angle, 45 擄line polarized light illumination and 22nm 3D square contact hole mask as examples, under the same simulation parameters, the azimuth angle of incident light varies from 0 擄to 90 擄. Compared with the strict simulation results of commercial lithography software Dr.LiTHO, the simulation results show that the error of graphic feature dimension is less than 0.21 nm, and the simulation speed is about 65 times higher. Compared with the Dr.LiTHO domain decomposition method and the mask structure decomposition method, the simulation accuracy and speed of the method are more than twice as high. The model does not need parameter calibration and is suitable for 3D mask simulation of rectangular graphics.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61474129)
【分類號】：TN305.7

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本文編號：2363277