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壓接型IGBT串聯(lián)技術(shù)研究

發(fā)布時(shí)間:2018-11-28 13:26
【摘要】:在壓接型IGBT(Insulation Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)串聯(lián)電路中,探求通用性強(qiáng)、操作簡單、均壓效果好的均壓措施,設(shè)計(jì)隔離電壓等級(jí)更高的驅(qū)動(dòng)隔離電源,是現(xiàn)階段需要解決的兩個(gè)關(guān)鍵難題。本文通過理論分析、仿真驗(yàn)證和實(shí)驗(yàn)研究相結(jié)合的方法,對(duì)壓接型IGBT串聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)研究,主要工作如下:1.利用Saber軟件搭建IGBT串聯(lián)仿真電路,結(jié)合理論分析,系統(tǒng)研究了門極驅(qū)動(dòng)電阻和門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)等因素對(duì)IGBT串聯(lián)電路均壓的影響,揭示了門極驅(qū)動(dòng)電阻、門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)等因素與IGBT開通關(guān)斷階段集電極電壓之間的關(guān)系;2.針對(duì)有源電壓控制法參考電壓波形不易生成且通用性差的現(xiàn)狀,提出了一種自動(dòng)生成參考電壓波形的自適應(yīng)均壓法,在工作1的基礎(chǔ)上,利用Saber軟件搭建了自適應(yīng)均壓電路,仿真結(jié)果表明了自適應(yīng)均壓法具有良好的均壓效果。該方法無需提前設(shè)置參考電壓波形,通用性強(qiáng),操作方便,具有良好的應(yīng)用前景;3.設(shè)計(jì)了一款20k V隔離電壓等級(jí)的驅(qū)動(dòng)隔離電源,針對(duì)該電源的多個(gè)參數(shù)探索了更全面的設(shè)計(jì)方法,對(duì)驅(qū)動(dòng)隔離電源進(jìn)行了初步試驗(yàn)驗(yàn)證,試驗(yàn)結(jié)果表明了驅(qū)動(dòng)隔離電源滿足20k V電壓等級(jí)的IGBT串聯(lián)電路的需求;4.針對(duì)10k V壓接型IGBT串聯(lián)型電壓源換流閥進(jìn)行了試驗(yàn)研究,該換流閥應(yīng)用了本文設(shè)計(jì)的自適應(yīng)均壓電路和驅(qū)動(dòng)隔離電源,試驗(yàn)結(jié)果表明,自適應(yīng)均壓電路具有良好的均壓效果,驅(qū)動(dòng)隔離電源可以保證IGBT串聯(lián)型換流閥可靠運(yùn)行,驗(yàn)證了壓接型IGBT串聯(lián)自適應(yīng)均壓法和驅(qū)動(dòng)隔離電源的可行性。
[Abstract]:In the series circuit of voltage-connected IGBT (Insulation Gate Bipolar Transistor, insulated gate bipolar transistor, this paper explores the voltage equalizing measures with strong generality, simple operation and good voltage sharing effect, and designs the drive and isolation power supply with higher isolation voltage level. These are two key problems that need to be solved at this stage. Through theoretical analysis, simulation and experimental research, this paper systematically studies the series technology of IGBT. The main work is as follows: 1. The IGBT series simulation circuit is built by using Saber software. Combined with theoretical analysis, the effects of gate drive resistance and gate drive signal on the voltage sharing of IGBT series circuit are systematically studied, and the gate drive resistance is revealed. The relationship between gate driving signal and collector voltage in IGBT turn-off stage; 2. In view of the current situation that the reference voltage waveform of active voltage control method is not easy to generate and its generality is poor, an adaptive voltage equalization method is proposed to generate the reference voltage waveform automatically. Based on the work 1, an adaptive voltage sharing circuit is built by using Saber software. The simulation results show that the adaptive equalization method has a good effect. This method does not need to set the reference voltage waveform in advance, has strong universality, convenient operation, and has a good application prospect. 3. A drive isolation power supply with 20kV isolation voltage level is designed, and a more comprehensive design method is explored for several parameters of the power supply, and the preliminary test is carried out to verify the driving isolation power supply. The experimental results show that the drive isolation power supply can meet the requirements of 20kV IGBT series circuit. 4. An experimental study on 10kV voltage-connected IGBT series voltage source converter valve is carried out. The adaptive voltage sharing circuit and the driving isolation power supply are used in the converter valve. The test results show that the adaptive voltage equalizing circuit has a good voltage equalizing effect. The driving isolation power can ensure the reliable operation of the IGBT series converter valve, which verifies the feasibility of the pressure-connected IGBT series adaptive equalization method and the drive isolation power supply.
【學(xué)位授予單位】:華北電力大學(xué)(北京)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2362954

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