【摘要】：2.5D集成技術(shù)(轉(zhuǎn)接層技術(shù))可以實(shí)現(xiàn)不同芯片間的異質(zhì)集成,基于低阻硅通孔(TSV)的轉(zhuǎn)接層利用了低阻硅的良好導(dǎo)電性,可以代替銅基硅通孔,具有工藝簡(jiǎn)單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn).本文對(duì)低阻硅通孔進(jìn)行了電磁學(xué)仿真,在1GHz時(shí),回波損耗S_(11)為-24.7dB,插入損耗S_(21)為-0.52dB基本滿足傳輸線的要求.提出了等效電路模型,與電磁仿真結(jié)果對(duì)比,具有較好的一致性,可以實(shí)現(xiàn)在0.1~10GHz帶寬內(nèi)的應(yīng)用.最后對(duì)低阻硅通孔進(jìn)行了TDT/TDR及眼圖仿真,結(jié)果表明雖然低阻硅通孔的電阻對(duì)壓降有較大影響,但是寄生電容的影響相對(duì)較小.
[Abstract]:2.5D integrated technology (transfer layer technology) can realize heterogeneous integration between different chips. The switching layer based on low through hole (TSV) takes advantage of the good conductivity of low resistance silicon, and can replace copper based silicon through hole, and has a simple process. The advantage of low cost. In this paper, the electromagnetic simulation of the through hole of low resistance silicon is carried out. When 1GHz, the return loss S11 is -24.7 dB, and the insertion loss S21 is-0.52dB to meet the requirement of transmission line. An equivalent circuit model is proposed, which is consistent with the results of electromagnetic simulation and can be applied in 0.1~10GHz bandwidth. Finally, the TDT/TDR and eye diagram simulation of the low resistance silicon through hole are carried out. The results show that although the resistance of the low resistance silicon through hole has a great influence on the voltage drop, the parasitic capacitance has relatively little effect on the voltage drop.
【作者單位】： 北京理工大學(xué)光電學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61404008,61574016) “111”引智計(jì)劃資助項(xiàng)目(B14010) 北京理工大學(xué)基礎(chǔ)研究基金資助項(xiàng)目(20130542015)
【分類(lèi)號(hào)】：TN402

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本文編號(hào)：2336821