【摘要】：已有研究表明,絕緣柵雙極性晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的可靠性與結溫波動密切相關,如能準確地實時測量IGBT的結溫,對可靠性的研究具有重要意義。依據(jù)溫敏電參數(shù)法,該文提出一種基于柵極電壓開通密勒平臺的結溫估計方法。首先分析IGBT柵極寄生電容的物理特性與溫度的關系,得到柵極開通過程中密勒平臺電壓與結溫線性相關;然后提出采用恒流驅動電路延長柵極電壓開通過程中密勒平臺持續(xù)時間,使其溫敏感度與溫線性度更高,可擬合出密勒平臺值和結溫間的線性關系;最后采用該方法對IGBT模塊的結溫估算進行實驗驗證,并與采用紅外測溫儀實時測量的結溫進行對比,驗證了所提方法的可行性和準確性。
[Abstract]:It has been shown that the reliability of insulated gate bipolar transistor (insulated gate bipolar transistor,IGBT) is closely related to the junction temperature fluctuation. If the junction temperature of IGBT can be measured accurately and in real time, it is of great significance to the study of reliability. According to the method of temperature sensitive electrical parameters, this paper presents a method of junction temperature estimation based on grid voltage turn-on Miller platform. Firstly, the relationship between the physical characteristics of parasitic capacitance of IGBT gate and temperature is analyzed, and the linear correlation between the voltage of Miller platform and junction temperature is obtained. Then the constant current drive circuit is used to extend the duration of the Miller platform in the process of grid voltage opening, which makes the temperature sensitivity and temperature linearity higher, which can fit the linear relationship between Miller platform value and junction temperature. Finally, this method is used to verify the junction temperature estimation of IGBT module, and compared with that measured by infrared thermometer in real time, the feasibility and accuracy of the proposed method are verified.
【作者單位】： 輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術國家重點實驗室(重慶大學);
【基金】：國家自然科學基金重點項目(51137006);國家自然科學基金項目(51577020)~~
【分類號】：TN322.8

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