【摘要】：主要討論了3種氮化鎵(GaN)體單晶生長技術(shù),包括氫化物氣相外延(HVPE)、助熔劑法、氨熱方法。首先敘述了在HVPE法制備GaN體單晶方面的研究進(jìn)展,包括位錯(cuò)的減少、應(yīng)變的控制、襯底的分離和摻雜等。比較了3種方法的生長機(jī)制。其次,通過納米壓痕儀和高空間分辨表面光電壓譜兩種方法研究了體單晶中位錯(cuò)的力學(xué)行為。最后,介紹了GaN體單晶襯底在器件方面的應(yīng)用。
[Abstract]:Three kinds of single crystal growth techniques of gallium nitride (GaN) were discussed, including hydride vapor phase epitaxy (HVPE),) flux method and ammonia heat method. The progress in the preparation of GaN bulk single crystals by HVPE, including the reduction of dislocations, the control of strain, the separation and doping of substrates, etc. The growth mechanism of the three methods was compared. Secondly, the mechanical behavior of dislocations in bulk single crystals was studied by nano-indentation instrument and high-resolution surface photovoltage spectroscopy. Finally, the applications of GaN bulk single crystal substrates in devices are introduced.
【作者單位】： 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;蘇州納維科技有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61325022,11435010)~~
【分類號】：TN304

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本文編號：2305915