【摘要】：由于硅材料本身的限制,傳統(tǒng)硅電力電子器件性能已經(jīng)接近其極限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優(yōu)勢(shì)逐漸突顯,成為電力電子器件一個(gè)新的發(fā)展方向。綜述了SiC材料、SiC電力電子器件、SiC模塊及關(guān)鍵工藝的研究現(xiàn)狀,重點(diǎn)從材料、器件結(jié)構(gòu)、制備工藝等方面闡述了SiC二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)晶型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及模塊的研究進(jìn)展。概述了SiC材料、SiC電力電子器件及模塊的商品化情況,最后對(duì)SiC材料及器件的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。
[Abstract]:Because of the limitation of silicon material, the performance of traditional silicon power electronic devices is close to its limit. The advantages of silicon carbide (SiC) devices such as high power, high efficiency, high temperature resistance, radiation resistance, etc. It has become a new development direction of power electronic devices. The research status of SiC materials, SiC power electronic devices, SiC modules and key processes are reviewed. The SiC diodes and metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET),) are described in detail from the aspects of material, device structure and fabrication process. Progress in Research on (IGBT) and Modules of (BJT), Insulated Gate Bipolar transistors with crystallized Field effect transistors (JFET), bipolar transistors and bipolar transistors. The commercialization of SiC materials, SiC power electronic devices and modules is summarized. Finally, the development trend of SiC materials and devices is prospected.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TN303

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 白繼彬;;我國(guó)發(fā)展新型電力電子器件的必要性[J];電氣技術(shù);2007年05期

2 ;“電力電子器件技術(shù)交流會(huì)”大會(huì)報(bào)告題目及報(bào)告人[J];半導(dǎo)體技術(shù);1990年05期

3 張青云;電力電子器件的應(yīng)用及發(fā)展[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2001年01期

4 李現(xiàn)兵;師宇杰;王廣州;王桂榮;;淺談現(xiàn)代電力電子器件的發(fā)展[J];電力電子;2005年03期

5 谷海紅;張珊靚;;電力電子器件的分析與應(yīng)用[J];電氣開(kāi)關(guān);2006年06期

6 趙定遠(yuǎn);趙莉華;;現(xiàn)代電力電子器件的發(fā)展[J];成都大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2007年03期

7 彭偉發(fā);;“電力電子器件及其應(yīng)用”教學(xué)方法淺論[J];華東交通大學(xué)學(xué)報(bào);2007年S1期

8 錢金川;朱守敏;;電力電子器件絕緣柵雙極晶體管的應(yīng)用與保護(hù)(續(xù)一)[J];江蘇電器;2008年02期

9 鄧愛(ài)喜;;電力電子器件的發(fā)展與應(yīng)用[J];科技經(jīng)濟(jì)市場(chǎng);2008年05期

10 趙善麒;盛況;劉揚(yáng);;新型電力電子器件專輯—特邀主編評(píng)述[J];電力電子技術(shù);2012年12期

相關(guān)會(huì)議論文 前4條

1 肖向鋒;;制造電力電子器件的新型關(guān)鍵電子材料[A];2010中國(guó)電子信息材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇論文集[C];2010年

2 陳治明;;碳化硅電力電子器件研發(fā)進(jìn)展與存在問(wèn)題[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

3 祁春清;梁中華;;電力電子器件故障診斷的灰色理論方法探討[A];全面建設(shè)小康社會(huì)：中國(guó)科技工作者的歷史責(zé)任——中國(guó)科協(xié)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（上）[C];2003年

4 莊留杰;;現(xiàn)代電力電子器件和PWM控制技術(shù)[A];2006年電氣工程教育專業(yè)委員會(huì)年會(huì)論文集[C];2006年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前6條

1 劉國(guó)友;高端電力電子器件依賴進(jìn)口我國(guó)企業(yè)需加快突圍[N];中國(guó)電子報(bào);2008年

2 遼寧工學(xué)院 陳永真;電力電子器件技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)[N];中國(guó)電子報(bào);2004年

3 記者 徐陽(yáng)　王立新;新型電力電子器件生產(chǎn)基地開(kāi)工[N];吉林日?qǐng)?bào);2011年

4 證券時(shí)報(bào)記者 劉征;中國(guó)南車攜手中科院建設(shè)“綠色中國(guó)芯”電力電子器件[N];證券時(shí)報(bào);2011年

5 馮曉偉;電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效 新型器件嶄露頭角[N];中國(guó)電子報(bào);2008年

6 成都 新鴻 編譯;電力電子器件[N];電子報(bào);2014年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 張健;電力電子器件及其裝置的散熱結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

2 趙勝雷;氮化鎵基半導(dǎo)體電力電子器件擊穿機(jī)理研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

，

本文編號(hào)：2302477