【摘要】：針對傳統(tǒng)二氧化硅、氮化硅等介質(zhì)材料在制作MOS電容時存在電容密度低、界面特性差的問題,通過對氮離子注入、氮硅氧化實(shí)驗(yàn)的分析,成功開發(fā)出一種采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介質(zhì)材料的工藝;并使用該工藝研制出與36V雙極工藝兼容、介質(zhì)的相對介電常數(shù)為5.51、擊穿電壓達(dá)81V、電容密度為0.394fF/μm~2的高密度MOS電容,較傳統(tǒng)可集成二氧化硅/氮化硅復(fù)合介質(zhì)電容的電容密度提高了35.86%。該工藝還可用于制作大功率MOSFET的柵介質(zhì),可提高器件的可靠性。
[Abstract]:In order to solve the problems of low capacitance density and poor interface characteristics of traditional silicon dioxide and silicon nitride dielectric materials, the nitrogen ion implantation and nitrogen silicon oxidation experiments were carried out. A process of nitrogen injection and oxidation was successfully developed to produce silicon nitrogen oxide dielectric material. By using this process, a high density MOS capacitor with a dielectric constant of 5.51, a breakdown voltage of 81 V and a capacitance density of 0.394fF/ 渭 m ~ (2) has been developed, which is compatible with the 36 V bipolar process, and the dielectric constant is 5.51, the breakdown voltage is 81 V, and the capacitance density is 0.394fF/ 渭 m ~ (2). Compared with the conventional integrated silicon dioxide / silicon nitride composite dielectric capacitors, the capacitance density is increased by 35.86. The process can also be used to fabricate the gate dielectric of high power MOSFET and improve the reliability of the device.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所;模擬集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號】：TN386

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：2302091