【摘要】：逆導(dǎo)型溝槽場(chǎng)終止絕緣柵雙極型晶體管(RC Trench FS IGBT)是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有成本低、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款1 200 V逆導(dǎo)型溝槽FS IGBT。重點(diǎn)研究了逆導(dǎo)型絕緣柵門極晶體管(RC IGBT)特有的回掃現(xiàn)象,以及如何從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上消除回掃現(xiàn)象,其次,對(duì)RC IGBT在不同的載流子壽命下,進(jìn)行了開(kāi)關(guān)特性、反向恢復(fù)特性的仿真。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著載流子壽命的降低,其開(kāi)關(guān)時(shí)間、反向恢復(fù)特性都有一定程度的改善。依據(jù)器件的最優(yōu)化設(shè)計(jì)進(jìn)行了流片。測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證了不同設(shè)計(jì)對(duì)電流回掃現(xiàn)象的影響,以及不同少子壽命下導(dǎo)通特性和反向恢復(fù)特性的變化規(guī)律,器件的性能得到優(yōu)化。
[Abstract]:(RC Trench FS IGBT) is a new type of power semiconductor device with low cost, small volume and high reliability. A 1 200V inverse conductivity groove FS IGBT. is designed and implemented. The special backsweep phenomenon of inverse conductance insulated gate transistor (RC IGBT) and how to eliminate the backsweep phenomenon in structural design are studied. Secondly, the switching characteristics of RC IGBT under different carrier life are studied. Simulation of reverse recovery characteristics. The results show that with the decrease of carrier lifetime, the switching time and reverse recovery characteristics are improved to some extent. The flow sheet is carried out according to the optimum design of the device. The experimental results verify the effects of different designs on the current backsweep phenomenon, as well as the variation of the on-on and reverse recovery characteristics under different minority carrier lifetimes. The performance of the device is optimized.
【作者單位】： 北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院;電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61404023) 國(guó)家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2011ZX02504-001,2011ZX02504-003) 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金資助項(xiàng)目(KFJJ201301)
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2302088