【摘要】：用現(xiàn)有的紅外法測(cè)量的GaN基HEMT器件結(jié)溫,比實(shí)際最高溫度點(diǎn)的溫度低。而用喇曼法測(cè)量結(jié)溫對(duì)設(shè)備要求高且不易于操作。針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)對(duì)GaN基HEMT器件結(jié)溫的測(cè)量存在一定困難的問題,設(shè)計(jì)了一款HEMT器件匹配電路。利用紅外熱像儀測(cè)量HEMT器件的結(jié)溫升高,并結(jié)合物理數(shù)值模擬仿真,提出一種小尺寸柵極結(jié)溫升高測(cè)量方法。結(jié)果表明,建立正確的仿真模型,可以得到不同柵極長(zhǎng)度范圍內(nèi)的溫度。通過這種方法可以測(cè)量出更接近實(shí)際的結(jié)溫,為之后研究加載功率與殼溫對(duì)Al GaN/GaN HEMT器件熱阻的影響奠定了理論基礎(chǔ),并且為實(shí)際工作中熱特性研究提供了參考依據(jù)。
[Abstract]:The junction temperature of GaN based HEMT device measured by the existing infrared method is lower than that of the actual maximum temperature point. However, the measurement of junction temperature by Raman method requires high equipment and is difficult to operate. A matching circuit for GaN based HEMT devices is designed in view of the difficulties of the existing techniques in measuring the junction temperature of HEMT devices. An infrared thermal imager is used to measure the junction temperature rise of HEMT devices. Combined with physical numerical simulation, a small scale gate junction temperature rise measurement method is proposed. The results show that the temperature in the range of grid length can be obtained by establishing the correct simulation model. This method can be used to measure the junction temperature which is closer to the actual value, which lays a theoretical foundation for the study of the influence of loading power and shell temperature on the thermal resistance of Al GaN/GaN HEMT devices, and provides a reference basis for the study of the thermal characteristics of Al GaN/GaN HEMT devices in practice.
【作者單位】： 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院;北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院;
【基金】：核心電子器件評(píng)價(jià)和檢測(cè)技術(shù)資助項(xiàng)目(2012ZX01022002)
【分類號(hào)】：TN386

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 袁友祥;別少兵;唐偉;;半導(dǎo)體照明中結(jié)溫的電學(xué)法測(cè)試與優(yōu)化[J];電腦知識(shí)與技術(shù);2011年20期

2 楊旭;周雒維;杜雄;沈剛;徐銘偉;;絕緣柵雙極型晶體管結(jié)溫測(cè)量方法及其發(fā)展[J];電測(cè)與儀表;2012年02期

3 費(fèi)翔;錢可元;羅毅;;大功率LED結(jié)溫測(cè)量及發(fā)光特性研究[J];光電子.激光;2008年03期

4 陳明;胡安;唐勇;汪波;;絕緣柵雙極型晶體管脈沖工作時(shí)結(jié)溫特性及溫度分布研究[J];西安交通大學(xué)學(xué)報(bào);2012年04期

5 王惠艷;;晶閘管結(jié)溫過高跳閘分析[J];高壓電器;2010年10期

6 俞慶生;夏勛力;劉銳均;;大功率LED照明燈具的器件結(jié)溫估算方法[J];中國(guó)照明電器;2011年09期

7 閆軍政;楊士元;吳維剛;張金龍;;功率控制器結(jié)溫?zé)o損傷測(cè)量技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年01期

8 楊敏杰;張偉;;兩種旁路二極管結(jié)溫測(cè)試方法的分析與比較[J];科技創(chuàng)新與應(yīng)用;2013年20期

9 朱陽(yáng)軍;苗慶海;張興華;盧爍今;;基于實(shí)際結(jié)溫分布中小電流過趨熱效應(yīng)的驗(yàn)證[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2007年07期

10 李松麗;張俊;;兩種旁路二極管結(jié)溫測(cè)試方法的分析與比較[J];上海計(jì)量測(cè)試;2013年01期

相關(guān)會(huì)議論文 前9條

1 童家?guī)X;邵妍;李曉春;毛軍發(fā);;基于場(chǎng)路等效的三維封裝熱模型與熱分析[A];2011年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（下冊(cè)）[C];2011年

2 郭偉玲;王曉明;陳建新;鄒德恕;沈光地;;LED結(jié)溫的測(cè)量方法研究[A];海峽兩岸第十四屆照明科技與營(yíng)銷研討會(huì)專題報(bào)告暨論文集[C];2007年

3 慕建偉;滕飛;李開祥;宿天賦;李志;;LED結(jié)溫及其計(jì)算方法[A];第二十七屆中國(guó)（天津）2013IT、網(wǎng)絡(luò)、信息技術(shù)、電子、儀器儀表創(chuàng)新學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2013年

4 賈穎;李逗;曾晨暉;梁偉;曹紅;;控制結(jié)溫的功率晶體管穩(wěn)態(tài)工作壽命試驗(yàn)的實(shí)現(xiàn)[A];第十一屆全國(guó)可靠性物理學(xué)術(shù)討論會(huì)論文集[C];2005年

5 毛德豐;郭偉玲;賈學(xué)姣;張勇輝;高國(guó);沈光地;;功率LED熱學(xué)特性研究[A];海峽兩岸第十五屆照明科技與營(yíng)銷研討會(huì)專題報(bào)告暨論文集[C];2008年

6 張德駿;曹紅;苗慶海;王家儉;張興華;楊志偉;滿昌峰;;控剖晶體管結(jié)溫的穩(wěn)態(tài)工作壽命試驗(yàn)方法[A];中國(guó)電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)第十屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2000年

7 毛德豐;郭偉玲;高國(guó);沈光地;;功率LED電壓與溫度關(guān)系研究[A];中國(guó)照明論壇——城市照明節(jié)能規(guī)劃、設(shè)計(jì)與和諧發(fā)展科技研討會(huì)專題報(bào)告文集[C];2009年

8 張乾本;;HEMT及HEMT器件[A];1991年全國(guó)微波會(huì)議論文集（卷Ⅱ）[C];1991年

9 崔曉英;黃云;;HEMT器件2DEG溝道退化相關(guān)機(jī)理研究[A];中國(guó)電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)第十三屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文選[C];2006年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前3條

1 何山嵩 廣東;LED的壽命預(yù)測(cè)[N];電子報(bào);2010年

2 上海力茲照明電氣有限公司 汪鋼 趙正之;LED燈條燈泡結(jié)溫的測(cè)量[N];消費(fèi)日?qǐng)?bào);2014年

3 杭州浙大三色儀器有限公司董事長(zhǎng) 牟同升;LED檢測(cè)：滿足產(chǎn)品需求 新應(yīng)用領(lǐng)域有差距[N];中國(guó)電子報(bào);2007年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前6條

1 吳軍科;非平穩(wěn)工況變流器IGBT模塊結(jié)溫平滑控制研究[D];重慶大學(xué);2015年

2 羅皓澤;基于動(dòng)態(tài)熱敏電參數(shù)法的大容量IGBT模塊結(jié)溫在線提取原理和方法研究[D];浙江大學(xué);2015年

3 客洪亮;白光LED陣列結(jié)溫檢測(cè)以及壽命預(yù)測(cè)分析[D];中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所;2017年

4 陳全;大功率LED結(jié)溫測(cè)試及其在封裝熱管理中的應(yīng)用研究[D];華中科技大學(xué);2012年

5 劉木清;照明用LED光效的熱特性及其測(cè)試與評(píng)價(jià)方法的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2009年

6 楊麗媛;氮化鎵基HEMT器件高場(chǎng)退化效應(yīng)與熱學(xué)問題研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 王勇;智能功率模塊可靠性的有限元仿真研究[D];上海交通大學(xué);2015年

2 王賀;IGBT功率模塊結(jié)溫探測(cè)和壽命預(yù)測(cè)[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

3 黃歡;IGBT功率模塊熱傳導(dǎo)與退化研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

4 李家昌;4H-SiC PiN二極管高溫可靠性研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

5 武玫;GaN HEMTs器件結(jié)溫測(cè)試與變溫特性的研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

6 漆琴;功率型LED結(jié)溫檢測(cè)與ANSYS仿真分析[D];杭州電子科技大學(xué);2015年

7 劉丹;重復(fù)過流沖擊下IGBT退化的在線監(jiān)測(cè)[D];浙江大學(xué);2016年

8 王明霞;大功率LED散熱模擬與優(yōu)化設(shè)計(jì)[D];鄭州大學(xué);2016年

9 張兵;大功率LED結(jié)溫在線測(cè)量及熱阻軟測(cè)量研究[D];深圳大學(xué);2016年

10 魏樹輝;大功率LED結(jié)溫的非接觸測(cè)量技術(shù)研究[D];哈爾濱理工大學(xué);2016年

，

本文編號(hào)：2292130