【摘要】：基于C2M系列SPICE模型,對(duì)碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)靜動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行分析。結(jié)果表明該模型在工作結(jié)溫較低時(shí),與數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的靜態(tài)特性曲線較吻合,但工作結(jié)溫較高時(shí)對(duì)SiC MOSFET靜態(tài)特性模擬效果較差,于是在該模型基礎(chǔ)上增加一個(gè)溫控電壓源,以補(bǔ)償工作結(jié)溫上升帶來(lái)的影響。之后,通過(guò)雙脈沖測(cè)試,對(duì)比分析該模型對(duì)SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性的模擬效果。經(jīng)過(guò)上述靜、動(dòng)特性的分析,發(fā)現(xiàn)該模型可較為準(zhǔn)確地反映低結(jié)溫時(shí)器件的真實(shí)工作特性,增加溫控電壓源后也適用于高結(jié)溫工作狀態(tài)。
[Abstract]:Based on the C2m series SPICE model, the static and dynamic characteristics of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are analyzed. The results show that the model is in good agreement with the static characteristic curve provided by the data manual when the working junction temperature is low, but the simulation effect of the static characteristic of SiC MOSFET is poor when the working junction temperature is high, so a temperature control voltage source is added to the model. To compensate for the effect of rising working temperature. After that, the simulation effect of the model on the dynamic characteristics of SiC MOSFET is compared and analyzed by double pulse test. Through the analysis of the static and dynamic characteristics above, it is found that the model can accurately reflect the real working characteristics of the device at low junction temperature, and it is also suitable for the high temperature working state after adding the temperature control voltage source.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué);
【基金】：國(guó)家青年科學(xué)基金(51607053)~~
【分類號(hào)】：TN386

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;Novel IGBT SPICE Model with Non-destructive Parameter Extraction and Comparison with Measurements[J];Semiconductor Photonics and Technology;2002年03期

2 黎毅;;SPICE程序在IC工業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);1988年06期

3 李培芳,孫士乾;狀態(tài)方程的SPICE模擬[J];電工教學(xué);1992年01期

4 石林初,杜行堯,呂文生,吳毅,吳敏;發(fā)射極電流集邊效應(yīng)理論的SPICE模擬驗(yàn)證[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2000年11期

5 Don LaFontaine;;為低噪聲小功率精密放大器建立準(zhǔn)確的Spice模型[J];電子設(shè)計(jì)技術(shù);2011年06期

6 K.T.Moore;;性能與精度并進(jìn)SPICE仿真的美夢(mèng)成真[J];中國(guó)集成電路;2011年10期

7 王國(guó)裕;陸明瑩;;SPICE-Ⅱ程序在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J];電子技術(shù);1987年05期

8 ;Photodiode Circuit Macro-model for SPICE Si mulation[J];Semiconductor Photonics and Technology;2006年01期

9 Gary M.Dolny,胡易;采用經(jīng)驗(yàn)方法的功率MOSFET的SPICEⅡ子電路模型[J];微電子學(xué);1988年01期

10 Mike Engelhardt;;我們需要編寫新的SPICE嗎?[J];電子與電腦;2007年04期

相關(guān)會(huì)議論文 前6條

1 程剛;聶在平;;應(yīng)用FDTD-SPICE方法的互連封裝結(jié)構(gòu)全波分析[A];第十四屆全國(guó)電磁兼容學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2004年

2 沈磊;張均軍;張軍;羅萍;;一種適于SPICE數(shù)模混合IC仿真的數(shù)字宏模型[A];四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專委會(huì)2006年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年

3 陳振華;潘明海;;基于PSPICE的LVDS SPICE模型到IBIS模型的轉(zhuǎn)換[A];2008通信理論與技術(shù)新進(jìn)展——第十三屆全國(guó)青年通信學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（上）[C];2008年

4 鄭陽(yáng)明;褚慶昕;陳智慧;;結(jié)合SPICE的微波電路FDTD建模[A];2005'全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（第三冊(cè)）[C];2006年

5 趙國(guó)南;郭裕順;;超高速集成電路的SPICE瞬態(tài)時(shí)域模擬[A];1995年全國(guó)微波會(huì)議論文集（下冊(cè)）[C];1995年

6 陳昭祥;杜江峰;;一種基于GaN HEMT直流特性的SPICE宏模型[A];四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專委會(huì)2006年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 趙野;PDP行驅(qū)動(dòng)芯片用高壓DMOS器件SPICE宏模型研究[D];東南大學(xué);2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 徐國(guó)林;基于碳化硅MOSFET變溫度參數(shù)模型的器件建模與仿真驗(yàn)證[D];華北電力大學(xué);2015年

2 廖志佳;NBTI模型的研究以及在SPICE3 BSIM4模型中的實(shí)現(xiàn)[D];復(fù)旦大學(xué);2008年

3 程剛;應(yīng)用FDTD-SPICE技術(shù)的高速互連結(jié)構(gòu)時(shí)域分析[D];電子科技大學(xué);2004年

4 王建;基于SPICE的互連電路仿真技術(shù)研究[D];上海交通大學(xué);2010年

5 謝德福;基于SPICE的電路仿真系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];上海交通大學(xué);2010年

6 禹sリ，

本文編號(hào)：2275361