【摘要】：基于C2M系列SPICE模型,對碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)靜動態(tài)特性進(jìn)行分析。結(jié)果表明該模型在工作結(jié)溫較低時(shí),與數(shù)據(jù)手冊提供的靜態(tài)特性曲線較吻合,但工作結(jié)溫較高時(shí)對SiC MOSFET靜態(tài)特性模擬效果較差,于是在該模型基礎(chǔ)上增加一個(gè)溫控電壓源,以補(bǔ)償工作結(jié)溫上升帶來的影響。之后,通過雙脈沖測試,對比分析該模型對SiC MOSFET動態(tài)特性的模擬效果。經(jīng)過上述靜、動特性的分析,發(fā)現(xiàn)該模型可較為準(zhǔn)確地反映低結(jié)溫時(shí)器件的真實(shí)工作特性,增加溫控電壓源后也適用于高結(jié)溫工作狀態(tài)。
[Abstract]:Based on the C2m series SPICE model, the static and dynamic characteristics of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are analyzed. The results show that the model is in good agreement with the static characteristic curve provided by the data manual when the working junction temperature is low, but the simulation effect of the static characteristic of SiC MOSFET is poor when the working junction temperature is high, so a temperature control voltage source is added to the model. To compensate for the effect of rising working temperature. After that, the simulation effect of the model on the dynamic characteristics of SiC MOSFET is compared and analyzed by double pulse test. Through the analysis of the static and dynamic characteristics above, it is found that the model can accurately reflect the real working characteristics of the device at low junction temperature, and it is also suitable for the high temperature working state after adding the temperature control voltage source.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué);
【基金】：國家青年科學(xué)基金(51607053)~~
【分類號】：TN386

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本文編號：2275361