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基于機(jī)器學(xué)習(xí)算法的IGBT模塊故障預(yù)測(cè)技術(shù)研究

發(fā)布時(shí)間:2018-10-16 18:25
【摘要】:作為電力電子設(shè)備中重要的大功率開(kāi)關(guān)器件,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)已經(jīng)被應(yīng)用到眾多領(lǐng)域,發(fā)展前景十分廣闊。然而長(zhǎng)時(shí)間工作在高強(qiáng)度環(huán)境中的IGBT模塊會(huì)逐漸老化,甚至失效。因此能夠?qū)GBT模塊進(jìn)行實(shí)時(shí)故障預(yù)測(cè),不但可以減少日常維護(hù)成本,更能避免因器件失效而造成重大事故;诖藛(wèn)題,本文結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)相關(guān)算法對(duì)IGBT故障預(yù)測(cè)技術(shù)進(jìn)行研究。本文主要工作如下:首先,對(duì)IGBT模塊的工作特性、失效原因以及退化參數(shù)進(jìn)行研究,選取關(guān)斷狀態(tài)的瞬態(tài)尖峰電壓作為觀測(cè)參數(shù),對(duì)NASAPCoE研究中心提供的老化數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,得到預(yù)測(cè)實(shí)驗(yàn)所需要的尖峰電壓退化數(shù)據(jù)。其次,深入研究機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域中的回歸算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法,利用Google開(kāi)源平臺(tái)TensorFlow搭建算法模型,對(duì)關(guān)斷尖峰電壓退化數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練和預(yù)測(cè)。結(jié)果表明:使用RMSProp和批標(biāo)準(zhǔn)化優(yōu)化的長(zhǎng)短期記憶循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)具有較高的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度和訓(xùn)練速度,可以對(duì)IGBT退化數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)測(cè)。最后,為了提高設(shè)備維護(hù)效率,設(shè)計(jì)一套采用B/S架構(gòu)的IGBT實(shí)時(shí)故障預(yù)測(cè)軟件系統(tǒng)。歷史數(shù)據(jù)的預(yù)測(cè)使用隨機(jī)梯度下降法對(duì)訓(xùn)練過(guò)程進(jìn)行加速;實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的預(yù)測(cè)采用滾動(dòng)預(yù)測(cè)方式實(shí)現(xiàn),有效避免因長(zhǎng)時(shí)間預(yù)測(cè)帶來(lái)的誤差積累問(wèn)題。該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了基于循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的IGBT故障預(yù)測(cè)功能,具有實(shí)際意義。
[Abstract]:As an important high-power switch device, IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, insulated gate bipolar transistor (IGBT), it has been applied in many fields and has a broad prospect. However, IGBT modules that work long hours in high-intensity environments may gradually age, or even fail. Therefore, the real-time fault prediction of IGBT module can not only reduce the cost of daily maintenance, but also avoid serious accidents caused by device failure. Based on this problem, this paper studies the IGBT fault prediction technology combined with machine learning algorithm. The main work of this paper is as follows: firstly, the working characteristics, failure reasons and degradation parameters of IGBT module are studied, and the transient peak voltage of turn-off state is selected as the observation parameter to process the aging data provided by the NASAPCoE research center. The peak voltage degradation data needed to predict the experiment are obtained. Secondly, the regression algorithm and neural network algorithm in the field of machine learning are deeply studied, and the algorithm model is built by using Google open source platform TensorFlow to train and predict the voltage degradation data of off peak. The results show that the long and short term memory cycle neural networks optimized by RMSProp and batch standardization have high prediction accuracy and training speed, and can be used to predict IGBT degradation data. Finally, in order to improve the efficiency of equipment maintenance, a IGBT real-time fault prediction software system based on B / S architecture is designed. The prediction of historical data is accelerated by stochastic gradient descent method, and the prediction of real-time data is realized by means of rolling prediction, which effectively avoids the problem of error accumulation caused by long-term prediction. The system realizes the function of IGBT fault prediction based on cyclic neural network algorithm, which has practical significance.
【學(xué)位授予單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類(lèi)號(hào)】:TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2275246

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