【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊通過鍵合引線實現(xiàn)與外電路的電氣連接,并聯(lián)的鋁鍵合線若發(fā)生脫落現(xiàn)象,會導致模塊的等效通態(tài)電阻增大,通過對電阻的計算,可直接對模塊進行故障診斷。通過實驗得出IGBT模塊通態(tài)電壓與電流之間的關系曲線,計算出健康與鍵合線故障狀態(tài)下的IGBT模塊等效通態(tài)電阻的變化,并分析得出鍵合線脫落根數超過總鍵合線數的40%左右時,IGBT模塊發(fā)生失效故障。
[Abstract]:The insulated gate bipolar transistor (IGBT) module is electrically connected to the external circuit by bonding lead. If the parallel aluminum bond line shedding occurs, the equivalent on-state resistance of the module will increase, and the resistance is calculated. The module can be diagnosed directly. The relationship curve between on-state voltage and current of IGBT module is obtained by experiments, and the change of equivalent on-state resistance of IGBT module under the condition of health and bonding line fault is calculated. The failure of the IGBT module occurs when the number of the missing roots of the bonding line exceeds 40% of the total number of bonding lines.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電氣工程學院;
【基金】：國家科技支撐計劃(2015BAA09B01) 國家自然科學基金(51377044)~~
【分類號】：TN322.8

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本文編號：2270925