【摘要】：為了提高黑磷晶體管的遷移率,并適合規(guī)�；苽�,采用高K值HfO_2與Al_2O_3材料,晶體管溝道使用15nm厚度的黑磷薄膜,制備了黑磷背柵晶體管。測試其直流特性,柵極電壓范圍-10~10V,漏極電壓范圍-3~0V。常溫下晶體管空穴遷移率達到210cm~2/(V·s),電子遷移率為37cm~2/(V·s),開關(guān)比4.5×10~2。并根據(jù)黑磷的帶隙特性以及雙極性特點,對其漏極電流與柵壓、漏壓曲線進行理論分析。結(jié)果表明,高K值材料對黑磷晶體管性能有明顯提升,將進一步促進黑磷晶體管的實用化。
[Abstract]:In order to improve the mobility of black phosphorus transistors and be suitable for large-scale fabrication, high K value HfO_2 and Al_2O_3 materials were used to fabricate the black phosphorus back gate transistors. The black phosphorus thin films with 15nm thickness were used in the channel of the transistors. Test its DC characteristics, gate voltage range-10 V, drain voltage range-3 V. At room temperature, the hole mobility of transistors reaches 210cm~2/ (V s), electron mobility and the 37cm~2/ (V s), switching ratio is 4.5 脳 10 ~ 2. According to the band-gap and bipolar characteristics of black phosphorus, the drain current, gate voltage and leakage voltage curve are analyzed theoretically. The results show that the performance of black phosphorus transistor is improved obviously by high K value material, which will further promote the practicality of black phosphorus transistor.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué);中國科技大學(xué);南京電子器件研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51607050)
【分類號】：TN325

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本文編號：2269250